[發(fā)明專利]一種NOR閃存器件及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810186542.0
• 申請日: 2018-03-07
• 公開（公告）號: CN110335867B
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 熊濤;劉釗;許毅勝;舒清明
• 申請（專利權(quán)）人: 上海格易電子有限公司;北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L27/11521
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種NOR閃存器件，其特征在于，包括依次層疊的襯底、隧穿氧化層、浮柵層、介電層和控制柵層；

至少一個貫穿所述控制柵層和所述介電層的浮柵過孔，所述浮柵過孔位于有源區(qū)，用于暴露出所述浮柵層，以引出浮柵電極；

至少一個有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)，所述有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述襯底和所述介電層之間，用于在對所述浮柵層的化學(xué)機械拋光工藝中，減少所述浮柵過孔暴露出的所述浮柵層的磨損。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NOR閃存器件，其特征在于，所述襯底靠近所述隧穿氧化層一側(cè)的表面形成有至少一個淺溝槽，所述有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)的一部分填充于所述淺溝槽中，所述有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)對應(yīng)所述介電層的部分與所述介電層相接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的NOR閃存器件，其特征在于，所述有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)為連續(xù)或間斷的條形結(jié)構(gòu)；

所述浮柵過孔的開口的長邊沿第一方向延伸，所述有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)的長邊沿第二方向延伸，所述第一方向與所述第二方向平行或相交。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的NOR閃存器件，其特征在于，所述第一方向與所述第二方向垂直，且對應(yīng)所述有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)的區(qū)域與對應(yīng)所述浮柵過孔的區(qū)域存在交疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的NOR閃存器件，其特征在于，對應(yīng)所述有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)的區(qū)域與對應(yīng)所述浮柵電極的區(qū)域無交疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的NOR閃存器件，其特征在于，多個所述有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)沿所述第一方向平行排布，且沿所述第一方向上所述有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)與所述浮柵電極間隔設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的NOR閃存器件，其特征在于，對應(yīng)所述浮柵過孔的部分或全部區(qū)域的所述浮柵層形成有金屬硅化物，所述金屬硅化物由所述浮柵層遠離所述襯底一側(cè)的表面向所述浮柵層內(nèi)延伸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的NOR閃存器件，其特征在于，至少在對應(yīng)所述浮柵電極的區(qū)域的所述浮柵層中形成有所述金屬硅化物。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NOR閃存器件，其特征在于，所述介電層為氧化物層-氮化物層-氧化物層構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NOR閃存器件，其特征在于，所述浮柵過孔位于所述浮柵層的中間區(qū)域。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NOR閃存器件，其特征在于，對應(yīng)所述浮柵過孔的區(qū)域的所述浮柵層的厚度大于周邊的所述浮柵層的厚度。

12.一種NOR閃存器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成至少一個有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)，以限定形成浮柵過孔的開口區(qū)域，并在對所述浮柵層的化學(xué)機械拋光工藝中，減少所述開口區(qū)域處的所述浮柵層的磨損；

在所述襯底靠近所述有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)一側(cè)的表面依次形成層疊的隧穿氧化層和浮柵層，其中，所述浮柵層覆蓋所述有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)；

采用化學(xué)機械拋光工藝對所述浮柵層進行研磨，露出所述有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)；

在所述浮柵層和所述有源區(qū)阻擋結(jié)構(gòu)遠離所述襯底一側(cè)的表面依次形成層疊的介電層和控制柵層；

在所述開口區(qū)域形成貫穿所述控制柵層和所述介電層的浮柵過孔。