[發(fā)明專(zhuān)利]掩膜板及掩膜板制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810186212.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-03-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108179379B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-05-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 歐凌濤;甘帥燕;卓林海 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 昆山國(guó)顯光電有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C14/04 | 分類(lèi)號(hào): | C23C14/04;C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京布瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩膜板 制備 方法 | ||
1.一種掩膜板,包括全蝕刻區(qū)和不蝕刻區(qū),其特征在于,所述全蝕刻區(qū)包括多個(gè)開(kāi)口單元,每一所述開(kāi)口單元的周?chē)O(shè)置有半蝕刻區(qū),所述不蝕刻區(qū)緊鄰所述開(kāi)口單元的外圍設(shè)置,還包括支撐柱,所述支撐柱設(shè)置于所述半蝕刻區(qū)范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述半蝕刻區(qū)包括多個(gè)各自獨(dú)立的半蝕刻單元,各所述半蝕刻單元的輪廓、尺寸相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述半蝕刻單元的輪廓為橢圓形、圓形、矩形中的至少一種。
4.一種掩膜板制備方法,其特征在于,包括:
獲取一掩膜板基材;
在所述掩膜板基材的待蝕刻區(qū)域進(jìn)行蝕刻操作形成開(kāi)口單元;
在形成所述開(kāi)口單元的周?chē)M(jìn)行半蝕刻操作形成半蝕刻區(qū),并且在緊鄰所述開(kāi)口單元的外圍設(shè)置不蝕刻區(qū);
在所述半蝕刻區(qū)的范圍內(nèi)設(shè)置支撐柱。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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