[發(fā)明專利]探測(cè)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810183868.8
• 申請(qǐng)日: 2018-03-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108470690B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 村上公之輔;寺田正二;重澤祐治;明星知幸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東京精密
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;G01R31/26
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 肖茂深

本發(fā)明提供能夠使從芯片背面電極至測(cè)定器連接點(diǎn)的雜散電感降低的探測(cè)器。探測(cè)器具備：晶片卡盤(pán)(18)，其具有導(dǎo)電性的支承面(18a)；探針卡(24)，其在與支承面(18a)對(duì)置的面具有多個(gè)探針(25)；臺(tái)構(gòu)件(50)，其具有導(dǎo)電性的臺(tái)面(50a)且與晶片卡盤(pán)(18)一體地移動(dòng)，臺(tái)面(50a)形成為與支承面(18a)平行且與支承面(18a)電連接；導(dǎo)電性接觸件(52)，其配置在與臺(tái)面(50a)對(duì)置的位置；以及平板狀配線構(gòu)件(70)，其配置在與臺(tái)面(50a)平行且接近的位置，一端與導(dǎo)電性接觸件(52)電連接，且該平板狀配線構(gòu)件(70)朝向晶片卡盤(pán)(18)側(cè)延伸設(shè)置。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及對(duì)形成在半導(dǎo)體晶片上的多個(gè)芯片進(jìn)行電氣檢查的探測(cè)器。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制造工序中，對(duì)薄圓板狀的半導(dǎo)體晶片實(shí)施各種處理，從而形成半導(dǎo)體裝置(設(shè)備)所分別具有的多個(gè)芯片(裸芯)。對(duì)各芯片進(jìn)行電氣特性檢查，然后利用切割機(jī)切開(kāi)，之后固定于引線框等而進(jìn)行組裝。上述電氣特性的檢查通過(guò)由探測(cè)器與測(cè)定器構(gòu)成的晶片檢測(cè)系統(tǒng)進(jìn)行。探測(cè)器將晶片固定于晶片卡盤(pán)，并使探針與各芯片的電極接觸。測(cè)定器與探針電連接，為了進(jìn)行電氣檢查而對(duì)各芯片施加電流、電壓并測(cè)定特性。

功率晶體管、功率MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor；絕緣柵雙極晶體管)、LED(Light Emitting Diode；發(fā)光二極管)、半導(dǎo)體激光器等半導(dǎo)體裝置(設(shè)備)一般在晶片的表面形成有電極(芯片表面電極)，并且在晶片的背面也形成有電極(芯片背面電極)。例如，在IGBT中，在晶片的表面形成有柵電極以及發(fā)射極電極，在晶片的背面形成有集電極。

為了在上述那樣的在晶片的兩面形成有多個(gè)具有電極的芯片的晶片中進(jìn)行晶片級(jí)檢查，在晶片卡盤(pán)設(shè)置有導(dǎo)電性的支承面(晶片載置面)，所述支承面以接觸的狀態(tài)保持晶片的背面，并作為測(cè)定器的測(cè)定電極發(fā)揮作用。該支承面經(jīng)由從晶片卡盤(pán)引出的電纜而與測(cè)定器電連接。而且，在進(jìn)行檢查的情況下，將晶片保持于晶片卡盤(pán)，在使探針與在晶片的表面形成的各芯片的電極(芯片表面電極)接觸的狀態(tài)下進(jìn)行各種測(cè)定。

然而，將晶片卡盤(pán)與測(cè)定器之間連接的電纜配設(shè)為經(jīng)由在構(gòu)成探測(cè)器的殼體的側(cè)面或背面等設(shè)置的連接器而在殼體的內(nèi)外迂回的狀態(tài)，因此其長(zhǎng)度通常需要為1～3m左右。因此，在芯片背面電極與測(cè)定器之間形成的電路徑變長(zhǎng)，其電阻、電感變大，因此存在產(chǎn)生高頻測(cè)定、動(dòng)態(tài)測(cè)定的測(cè)定誤差，從而無(wú)法以要求的精度適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行晶片級(jí)檢查的問(wèn)題。

為了解決這樣的問(wèn)題，例如，專利文獻(xiàn)1中記載了一種檢查裝置，該檢查裝置具備以與晶片卡盤(pán)的導(dǎo)電性的支承面相面對(duì)的方式設(shè)置的卡盤(pán)引線板、以及固定于晶片卡盤(pán)的周邊部的頂針。根據(jù)該檢查裝置，在芯片背面電極與測(cè)定器之間形成的電路徑經(jīng)由頂針與卡盤(pán)引線板而構(gòu)成，因此與上述的以往的結(jié)構(gòu)相比能夠減小在上述電路徑中產(chǎn)生的電阻、電感。

然而，在專利文獻(xiàn)1所記載的檢查裝置中，頂針固定于晶片卡盤(pán)，因此芯片背面電極與測(cè)定器之間的電路徑的長(zhǎng)度根據(jù)所檢查的芯片在晶片上的位置而發(fā)生變化。例如，在對(duì)存在于晶片的中央附近的芯片進(jìn)行檢查的情況和對(duì)存在于晶片的端部附近的芯片進(jìn)行檢查的情況下，上述電路徑的長(zhǎng)度不同。因此，在上述電路徑中產(chǎn)生的電阻、阻抗根據(jù)所檢查的芯片在晶片上的位置而發(fā)生變化，對(duì)高頻測(cè)定、動(dòng)態(tài)測(cè)定產(chǎn)生不利影響，存在無(wú)法高精度地進(jìn)行晶片級(jí)檢查的問(wèn)題。

針對(duì)這種問(wèn)題，本發(fā)明申請(qǐng)人提出了一種探測(cè)器，該探測(cè)器構(gòu)成為使固定于與臺(tái)構(gòu)件相面對(duì)的位置的接觸件與同晶片卡盤(pán)一體地移動(dòng)的導(dǎo)電性的臺(tái)構(gòu)件電接觸(參照專利文獻(xiàn)2)。根據(jù)該探測(cè)器，不受所檢查的芯片在晶片上的位置影響，在芯片背面電極與測(cè)定器之間形成的電路徑中的電阻、阻抗小且變動(dòng)少，因此能夠穩(wěn)定地進(jìn)行高頻測(cè)定、動(dòng)態(tài)測(cè)定，能夠高精度地進(jìn)行晶片級(jí)檢查。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2011-138865號(hào)公報(bào)