[發明專利]成膜方法和等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201810183839.1
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號: CN108504996B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 中谷理子;本田昌伸
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32;C23C14/12;H01L21/312;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明的目的在于提供一種以規定的堆積物填埋被處理體的凹部的成膜方法和等離子體處理裝置。所述成膜方法具有：將腔室的內部保持為規定的壓力，將被處理體設置于冷卻為?20℃以下的極低溫的臺上的工序；向所述腔室的內部供給包含低蒸氣壓材料的氣體的氣體的工序；以及由供給來的、所述包含低蒸氣壓材料的氣體的氣體生成等離子體，通過該等離子體來使由所述低蒸氣壓材料生成的前驅體堆積于被處理體的凹部中的工序。

技術領域

本發明涉及一種成膜方法和等離子體處理裝置。

背景技術

近年來，在半導體制造中，器件的尺寸變得微細化，被處理體上所形成的孔、線和空間(L/S：Line and Space)的槽部的高寬比(A/R：Aspect Ratio)變高。提出一種不堵塞這種高的高寬比的凹部的頂部的開口地以規定的膜填埋凹部的內部的技術(例如參照專利文獻1、2)。

專利文獻1：美國專利申請公開第2016/0314964號說明書

專利文獻2：日本特表2015-530742號公報

專利文獻3：日本特開2010-153859號公報

專利文獻4：日本特開2004-228581號公報

發明內容

發明要解決的問題

然而，特別是在利用從碳氟化合物的氣體生成的等離子體對凹部的內部進行成膜的情況下，當高寬比高時，凹部的頂部的開口堵塞，在凹部的內部產生空洞，難以使膜填充于凹部的內部。

針對上述問題，在一個方面，本發明的目的在于以規定的堆積物填埋被處理體的凹部。

用于解決問題的方案

為了解決上述問題，根據一個方式，提供如下一種成膜方法，該成膜方法包括以下工序：將腔室的內部保持為規定的壓力，將被處理體設置于冷卻為-20℃以下的極低溫的臺上；向所述腔室的內部供給包含低蒸氣壓材料的氣體的氣體；以及由供給的所述包含低蒸氣壓材料的氣體的氣體生成等離子體，通過該等離子體使由所述低蒸氣壓材料生成的前驅體堆積于被處理體的凹部中的工序。

發明的效果

根據一個方面，能夠以規定的堆積物填埋被處理體的凹部。

附圖說明

圖1是表示一個實施方式所涉及的等離子體處理裝置的一例的圖。

圖2是用于說明一個實施方式所涉及的凹部的開口的堵塞的圖。

圖3是用于說明一個實施方式所涉及的被處理體的樣本的圖。

圖4是表示一個實施方式所涉及的成膜方法的實驗結果的一例的圖。

圖5是表示基于一個實施方式所涉及的成膜方法的膜隨時間的變化的實驗結果的一例的圖。

圖6是表示基于一個實施方式所涉及的成膜方法的膜隨時間的變化的實驗結果的一例的曲線圖。

圖7是表示基于一個實施方式所涉及的成膜方法的膜的溫度依賴的實驗結果的一例的圖。

圖8是表示基于一個實施方式所涉及的成膜方法的膜的壓力依賴的實驗結果的一例的圖。

圖9是表示基于一個實施方式所涉及的成膜方法的膜的氣體依賴的實驗結果的一例的圖。

圖10是表示蒸氣壓曲線的圖。

圖11是表示基于一個實施方式所涉及的成膜方法的膜的LF依賴的實驗結果的一例的圖。