[發(fā)明專利]成膜方法和等離子體處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810183839.1
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號: CN108504996B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設計）人: 中谷理子;本田昌伸
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32;C23C14/12;H01L21/312;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種成膜方法，包括以下工序：

將腔室的內(nèi)部保持為規(guī)定的壓力，將被處理體設置于冷卻為-20℃以下的極低溫的臺上；

向所述腔室的內(nèi)部供給包含低蒸氣壓材料的氣體的氣體；以及

從供給的所述包含低蒸氣壓材料的氣體的氣體生成等離子體，通過該等離子體使從所述低蒸氣壓材料生成的前驅(qū)體堆積于被處理體的凹部來進行成膜，

所述低蒸氣壓材料的氣體為在與C₄F₈的蒸氣壓曲線表示的達到蒸氣壓的溫度相同的溫度或其以上的溫度下達到該蒸氣壓的氣體，

其中，所述規(guī)定的壓力為50mT即6.67Pa以上且為所述低蒸氣壓材料的氣體的蒸氣壓曲線所示的蒸氣壓以下，

所述進行成膜的工序使從所述低蒸氣壓材料生成的前驅(qū)體從形成于被處理體的凹部的底部開始堆積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

所述低蒸氣壓材料的氣體為含碳氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述低蒸氣壓材料的氣體為C₄F₈、C₄F₆、異丙醇即IPA中的任一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述進行成膜的工序使從所述低蒸氣壓材料生成的前驅(qū)體從形成于被處理體的凹部的底部開始堆積，來在被處理體上形成流動性膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

所述凹部的高寬比為2以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

形成于被處理體的凹部的高寬比越高，則通過所述前驅(qū)體的堆積來進行成膜的成膜速度越快。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

在所述凹部的上部進行堆積的流動性膜的成膜在流動性膜向所述凹部的內(nèi)部的填充完成之后開始。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

形成于被處理體的凹部處的成膜速度比被處理體的平面部處的成膜速度快。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

還包括以下工序：向所述腔室的內(nèi)部施加等離子體生成用的高頻電力，且以使離子能為0V以上且1000V以下的方式施加偏置吸引用的高頻電力。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述包含低蒸氣壓材料的氣體的氣體包含非活性氣體，

所述低蒸氣壓材料的氣體的流量相對于所述非活性氣體的流量的比例為50％以下。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述成膜方法由電感耦合型等離子體處理裝置、向上部電極側(cè)施加等離子體生成用的高頻電力的電容耦合型等離子體處理裝置、微波等離子體處理裝置和遠程等離子體裝置中的任一種來執(zhí)行。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述凹部為自所述被處理體的表面向下方凹陷而形成的結(jié)構(gòu)。

13.一種等離子體處理裝置，具有用于載置被處理體的臺、供給氣體的氣體供給部以及控制部，

其中，所述控制部使腔室的內(nèi)部保持為規(guī)定的壓力，使被處理體設置于冷卻為-20℃以下的極低溫的所述臺上，使所述氣體供給部向所述腔室的內(nèi)部供給包含低蒸氣壓材料的氣體的氣體，使得從供給的所述包含低蒸氣壓材料的氣體的氣體生成等離子體，通過該等離子體使從所述低蒸氣壓材料生成的前驅(qū)體堆積于被處理體的凹部，

其中，所述低蒸氣壓材料的氣體為在與C₄F₈的蒸氣壓曲線表示的達到蒸氣壓的溫度相同的溫度或其以上的溫度下達到該蒸氣壓的氣體，

所述規(guī)定的壓力為50mT即6.67Pa以上且為所述低蒸氣壓材料的氣體的蒸氣壓曲線所示的蒸氣壓以下，

從所述低蒸氣壓材料生成的前驅(qū)體從形成于被處理體的凹部的底部開始堆積。