[發(fā)明專利]三孔接地小型化準SIW環(huán)行器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810182514.1 | 申請日: | 2018-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN108306084B | 公開(公告)日: | 2023-09-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 燕宣余;高春燕;閆歡;韓曉川 | 申請(專利權)人: | 西南應用磁學研究所 |
| 主分類號: | H01P1/383 | 分類號: | H01P1/383;H01P1/387 |
| 代理公司: | 成都市熠圖知識產(chǎn)權代理有限公司 51290 | 代理人: | 楊金濤 |
| 地址: | 621000 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接地 小型化 siw 環(huán)行器 | ||
本發(fā)明公開了一種三孔接地小型化準SIW環(huán)行器,屬于微波元器件領域,包括硅基腔體(1)、旋磁基片(2)、永磁體(3)、接地通孔(5)、蓋板(6)和環(huán)行器底板(7),其中,所述旋磁基片(2)嵌于硅基腔體(1)內(nèi),所述環(huán)行器底板(7)位于硅基腔體(1)底部,蓋板(6)位于硅基腔體(1)正上方,所述永磁體(3)位于蓋板(6)上方,所述接地通孔(5)在硅基腔體(1)上對稱分布,所述硅基腔體(1)表面設置有電路,所述電路與硅基腔體(1)采用匹配孔(4)進行過渡;本發(fā)明的環(huán)行器,器件尺寸大大減小,實現(xiàn)了在17.8—26.6?GHz頻段內(nèi)的環(huán)行性能,本發(fā)明的環(huán)行器功率容量量級較微帶結(jié)構提升了一個數(shù)量級。
技術領域
本發(fā)明涉及微波元器件領域,尤其涉及一種三孔接地小型化準SIW環(huán)行器。
背景技術
基片型環(huán)行器是微波工程中一類重要的基礎性器件,是T/R組件的必備元件,其廣泛應用于民用通訊、微波測量、雷達、通信、電子對抗、航空航天等各種民用、軍用設備中,在設備中主要起到信號定向傳輸、收發(fā)雙工、隔離信號、保護前級系統(tǒng)的作用。
傳統(tǒng)的SIW環(huán)行器電磁波的傳輸模式類似于波導,是在一個類似波導腔內(nèi)傳播。金屬化通孔是SIW環(huán)行器的必備結(jié)構。金屬化通孔主要起到模擬波導壁的作用,將電磁波約束在波導壁內(nèi),在介質(zhì)內(nèi)進行傳播。
傳統(tǒng)SIW器件,尤其是環(huán)行器、隔離器,都是采用襯底介質(zhì)加旋磁基片的結(jié)構,旋磁基片的開孔破壞了介質(zhì)表面電路的完整性,對于高頻微波器件,電路的不完整對電磁波的傳輸影響明顯,限制了器件性能的提升。
傳統(tǒng)SIW環(huán)行器結(jié)構類型如圖1-3所示,其原理均是通過兩排金屬化過孔(方孔或圓孔)構造波導腔體寬邊結(jié)構,介質(zhì)基片厚度構造波導窄邊結(jié)構,實現(xiàn)電磁波的SIW傳輸結(jié)構。圖1為采用兩排交錯金屬化圓孔構造波導壁寬邊結(jié)構,圖2為采用單排金屬化過孔構造波導寬邊結(jié)構,圖3是在單排金屬化過孔構造波導結(jié)構基礎上,在中心結(jié)區(qū)放置三個金屬化孔用以提高環(huán)行器性能;
傳統(tǒng)的基片型環(huán)行器技術問題及缺陷主要體現(xiàn)在以下幾個方面:
1.傳統(tǒng)的SIW器件無論表面電路如何變化,匹配結(jié)構如何設計,金屬化通孔是其必備結(jié)構。金屬化通孔在基片內(nèi)構成一個類似的波導腔供電磁波傳輸,受微波波長的限制,金屬化通孔的間距縮小空間有限,導致器件尺寸較大。通常,K波段SIW環(huán)行器平面尺寸在7mm*7mm以上,寬帶結(jié)構尺寸更大;
2.金屬化通孔由于過孔多,在工藝上增加了加工成本和工藝風險;
3.傳統(tǒng)的微帶器件由于電磁波在表面電路上傳播,器件的功率容量小。通常,K波段微帶環(huán)行器功率容量在幾W左右;
4.傳統(tǒng)SIW器件及開孔型微帶器件,鐵氧體孔破壞了表面電路的完整性,影響器件性能,且小型化導致中心結(jié)小,孔外電路尺寸小,通常小于1mm,永磁體焊接難以實現(xiàn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就在于提供一種三孔接地小型化準SIW環(huán)行器,以解決上述問題。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術方案是這樣的:一種三孔接地小型化準SIW環(huán)行器,包括硅基腔體、旋磁基片、永磁體、接地通孔、蓋板和環(huán)行器底板,其中,所述旋磁基片嵌于硅基腔體內(nèi),所述環(huán)行器底板位于硅基腔體底部,蓋板位于硅基腔體正上方,所述永磁體位于蓋板上方,所述接地通孔在硅基腔體上對稱分布,所述硅基腔體表面設置有電路,所述電路與硅基腔體采用匹配孔進行過渡;所述接地通孔為三個。
本發(fā)明結(jié)合傳統(tǒng)SIW?環(huán)行器的結(jié)構形式和工藝手段實現(xiàn),采用硅作為襯底材料,結(jié)合MEMS工藝對環(huán)行器腔體進行立體加工。在原理性分析和設計階段,創(chuàng)造性地引入了準SIW技術,用金屬化接地通孔代替?zhèn)鹘y(tǒng)金屬化通孔,取消了介質(zhì)腔體內(nèi)的金屬化波導壁,改變了電磁波的傳輸模式,使準SIW環(huán)行器既能實現(xiàn)傳統(tǒng)SIW環(huán)行器的性能又大幅降低了器件尺寸。
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