[發明專利]用于PET的優化閃爍體晶體

在審

• 申請號: 201810181966.8
• 申請日: 2012-04-26
• 公開（公告）號: CN108279433A
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發明（設計）人: H·K·維喬雷克;A·托恩;S·庫克
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦有限公司
• 主分類號: G01T1/20
• 分類號: G01T1/20;G01T1/202
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊;王英

1.一種用于核掃描器的輻射探測器陣列，包括：

閃爍體晶體(10)的至少一個陣列，每個晶體(10)具有至少一個經處理的表面(16)，所述表面通過粗糙化被處理以散射入射光；

鏡面反射體層(30)，其直接包裹每個閃爍體晶體；以及

至少一個光探測器(32)，其被耦合到每個陣列，

其中所述鏡面反射體層被優化以反射處在涵蓋所述閃爍體晶體的峰值光輸出波長的范圍內的光，并且

其中所述至少一個經處理的表面包括所述閃爍體晶體的四個側面中的至少一個。

2.根據權利要求1所述的探測器陣列，其中，所述閃爍體晶體包括以下中的一種或多種：

硅酸镥釔(LYSO)晶體；

硅酸镥(LSO)晶體；

硅酸镥釓(LGSO)晶體；

硅酸镥釓釔(LGYSO)晶體；以及

溴化鑭(LaBr)晶體。

3.根據前述權利要求中任一項所述的探測器陣列，其中，所述光探測器為硅光電倍增器(SiPM)設備。

4.根據前述權利要求中任一項所述的探測器陣列，其中，所述閃爍體晶體具有第一面、第二面以及四個側面，所述第一面被光學耦合到所述光探測器，所述第二面與所述第一面相對并且被設置為朝向待檢查的對象，并且其中，每個側面具有長度和寬度，所述長度在所述第一面與所述第二面之間，所述長度為所述寬度的至少2.5倍。

5.根據前述權利要求中任一項所述的探測器陣列，其中，所述至少一個經粗糙化的側面為所述晶體的被光學耦合到所述光探測器的側面。

6.根據前述權利要求中任一項所述的探測器陣列，其中，所述晶體的所述至少一個經粗糙化的側面為所述晶體的長側，所述長側為毗鄰輻射接收側的側面和被光學耦合到所述光探測器的側面。

7.根據前述權利要求中任一項所述的探測器陣列，其中，所述至少一個經粗糙化的側面(16)的粗糙度大致等于通過利用150粒度砂紙磨砂得到的粗糙度。

8.一種核掃描器，包括：

根據權利要求1至7中任一項所述的輻射探測器陣列；

重建處理器，其將來自所述光探測器的輸出信號重建成圖像；以及

顯示設備，其顯示所重建的圖像。

9.一種增強探測器陣列中的光探測的方法，包括：

粗糙化多個預制拋光閃爍體晶體中每個的至少一側；

向經粗糙化的晶體直接施加鏡面反射體層；

將所述晶體布置在陣列中；

將多個陣列中的每個光學耦合到光探測器的陣列，以形成探測器陣列；并且

將所述探測器陣列安裝在探測器模塊中，

其中所述鏡面反射體層被優化以反射處在涵蓋所述閃爍體晶體的峰值光輸出波長的范圍內的光，并且

其中所述至少一側包括所述閃爍體晶體的四個側面中的至少一個。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述閃爍體晶體包括以下中的一種或多種：

硅酸镥釔(LYSO)晶體；

硅酸镥(LSO)晶體；

硅酸镥釓(LGSO)晶體；

硅酸镥釓釔(LGYSO)晶體；以及

溴化鑭(LaBr)晶體。

11.根據權利要求9至10中任一項所述的方法，其中，粗糙化多個預制拋光閃爍體晶體中每個的至少一側包括以下中的至少一種：

濕法砂磨每個晶體的所述至少一側；

干法砂磨每個晶體的所述至少一側；

噴砂每個晶體的所述至少一側；

磨削每個晶體的所述至少一側；

將每個晶體的所述至少一側暴露于磨砂劑；以及

將額外的晶體材料噴濺到每個晶體的所述至少一側上。