[發明專利]旋轉器蓋

在審

• 申請號: 201810181692.2
• 申請日: 2018-03-06
• 公開（公告）號: CN108538752A
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發明（設計）人: 勞拉·郝勒查克;柴塔尼亞·A·普拉薩德;埃姆雷·庫瓦利奇
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

本文描述的實施方式大體涉及具有用于預加熱處理氣體的旋轉器蓋的處理設備。所述設備包括腔室主體，所述腔室主體具有界定內部處理區的側壁和底壁。所述腔室還包括設置在所述腔室主體的內部處理區中的基板支撐件、環支撐件和旋轉器蓋。所述旋轉器蓋設置在環支撐件上。所述旋轉器蓋是不透明石英材料。所述旋轉器蓋有利地提供更有效的處理氣體加熱，由能夠承受處理條件同時提供更有效和均勻的處理的材料構成，且具有低CTE從而減少由于處理期間過度膨脹而導致的顆粒污染。

技術領域

本文描述的實施方式大體涉及基板的熱處理。

背景技術

基板的熱處理是半導體制造業的重要部分。基板在多種處理和設備中經受熱處理。在一些處理中，基板經受退火熱能，而在其他處理中，基板可能還要經受氧化型其他反應性化學條件。一個接一個的基板被放在設備中、加熱以進行處理、然后冷卻。用于熱處理基板的設備每天可經歷數百個極端加熱和冷卻循環。

除了基板的熱處理，操作設備的許多方面可能需要具有某些電學、光學或熱性質的材料。除復雜度增加外，半導體器件尺寸的不斷縮小依賴于對例如輸送至半導體處理腔室的處理氣體的流動和溫度的更加精確的控制。在橫流(cross-flow)處理腔室中，處理氣體可被輸送至腔室且被引導跨過待處理的基板的表面。對希望延長設備在它們所經受的極端條件下的使用壽命的人員而言，設備的設計存在艱巨的工程挑戰。

因此，存在對能夠在現代半導體處理的極端熱循環下可靠地運行的設備的需要。

發明內容

本文描述的實施方式大體涉及熱處理設備。在一個實施方式中，公開一種用于熱處理腔室的旋轉器蓋。所述旋轉器蓋包括具有內部分和外部分的環件(annulus)。所述環件是不透明石英材料。

在另一實施方式中，公開一種用于處理基板的設備。所述設備包括腔室主體，所述腔室主體具有界定內部處理區的側壁和底壁。腔室還包括設置于所述腔室主體的內部處理區中的基板支撐件、環支撐件(ring support)、和設置于所述環支撐件上的旋轉器蓋。所述旋轉器蓋是不透明石英材料。

在又一實施方式中，公開一種用于處理基板的設備。所述設備包括腔室主體，所述腔室主體具有界定內部處理區的側壁和底壁。腔室還包括設置于所述腔室主體的內部處理區中的基板支撐件、環支撐件、和設置于所述環支撐件上的旋轉器蓋。所述旋轉器蓋包括外部分和內部分。所述外部分具有與所述內部分大致相同的高度。

附圖說明

為了能詳細了解本發明的上述特征，可通過參考實施方式獲得以上簡要概述的本發明的更特定的描述，一些實施方式示于附圖中。然而，應注意的是，附圖僅示出本發明的典型實施方式且因此不應視為對本發明范圍的限制，因為本發明可允許其他等效的實施方式。

圖1示出根據一個實施方式的處理腔室的截面圖。

圖2A示出根據本文描述的一個實施方式的旋轉器蓋的俯視圖。

圖2B示出根據本文描述的一個實施方式的旋轉器蓋的透視圖。

圖2C示出根據本文描述的另一實施方式的旋轉器蓋的透視圖。

圖3示出根據本文描述的一個實施方式的旋轉器蓋的截面圖。

圖4示出根據本文描述的一個實施方式的旋轉器蓋的截面圖。

具體實施方式

本文描述的實施方式大體涉及具有用于預加熱處理氣體的旋轉器蓋的處理設備。旋轉器蓋設置于環支撐件上。旋轉器蓋可具有與處理氣體入口相鄰的分段。所述分段包括頂表面，所述頂表面包括增加表面面積的特征。旋轉器蓋是不透明石英材料。旋轉器蓋有利地提供處理氣體的更有效加熱，旋轉器蓋由能夠承受處理條件同時提供更有效和均勻的處理的材料構成，并且旋轉器蓋具有低CTE從而減少由于處理期間過度膨脹而導致的顆粒污染。