[發明專利]旋轉器蓋在審
| 申請號: | 201810181692.2 | 申請日: | 2018-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN108538752A | 公開(公告)日: | 2018-09-14 |
| 發明(設計)人: | 勞拉·郝勒查克;柴塔尼亞·A·普拉薩德;埃姆雷·庫瓦利奇 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 旋轉器蓋 腔室主體 處理氣體 內部處理 環支撐 基板支撐件 處理期間 處理設備 顆粒污染 石英材料 不透明 預加熱 側壁 底壁 界定 腔室 加熱 膨脹 | ||
1.一種用于熱處理腔室的蓋,包括:
不透明石英環件,所述不透明石英環件包括:
內邊緣,所述內邊緣具有第一厚度;和
外邊緣,所述外邊緣具有大于所述第一厚度的第二厚度。
2.如權利要求1所述的蓋,其中所述不透明石英環件由硅黑石英制成。
3.如權利要求1所述的蓋,其中所述不透明石英環件進一步具有凹形表面,所述凹形表面在所述內邊緣與所述外邊緣之間。
4.如權利要求3所述的蓋,其中所述環件進一步包括內唇,所述內唇從所述凹形表面徑向向內延伸至所述內邊緣。
5.如權利要求3所述的蓋,其中所述凹形表面在所述環件的所述內唇與底部之間。
6.如權利要求1所述的蓋,其中所述環件具有頂表面,并且其中所述環件的所述頂表面成凹形。
7.一種用于處理基板的設備,包括:
腔室主體,所述腔室主體具有界定內部處理區的側壁和底壁;
基板支撐件,所述基板支撐件設置在所述腔室主體的所述內部處理區中;
環支撐件,所述環支撐件從所述側壁向內延伸;和
蓋,所述蓋設置在所述環支撐件上,其中所述蓋包括不透明石英材料。
8.如權利要求7所述的設備,其中所述不透明石英材料是硅黑石英。
9.如權利要求7所述的設備,其中所述蓋具有環形主體和內唇,所述環形主體具有第三厚度,所述內唇具有小于所述第三厚度的第四厚度,其中所述內唇從所述環形主體徑向向內延伸。
10.如權利要求7所述的設備,其中所述蓋具有外部分和內部分,并且其中所述外部分的厚度大于所述內部分的厚度。
11.如權利要求7所述的設備,其中所述內部分的頂部與所述基板支撐件的頂部在同一平面上。
12.如權利要求11所述的設備,其中所述外部分的頂部與所述基板支撐件的頂部在同一平面上。
13.如權利要求7所述的設備,進一步包括間隙,所述間隙在所述蓋與所述基板支撐件之間。
14.一種用于處理基板的設備,包括:
腔室主體,所述腔室主體具有界定內部處理區的側壁和底壁;
基板支撐件,所述基板支撐件設置在所述腔室主體的所述內部處理區中;
環支撐件,所述環支撐件從所述側壁向內延伸;和
蓋,所述蓋設置在所述環支撐件上,其中所述蓋包括外部分和內部分,其中所述外部分的頂部與所述基板支撐件的頂部在同一平面上,并且其中所述內部分的頂部與所述基板支撐件的頂部在不同平面上。
15.如權利要求14所述的設備,其中所述外部分具有與所述內部分大致相同的厚度。
16.如權利要求14所述的設備,其中所述蓋是環件。
17.如權利要求16所述的設備,其中所述環件是不透明石英材料。
18.如權利要求17所述的設備,其中所述不透明石英材料是硅黑石英。
19.如權利要求14所述的設備,其中所述蓋是不透明石英材料。
20.如權利要求19所述的設備,其中所述不透明石英材料是硅黑石英。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





