[發明專利]中子俘獲治療法系統及中子俘獲治療法用γ射線檢測器

在審

• 申請號: 201810181614.2
• 申請日: 2018-03-06
• 公開（公告）號: CN108686306A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 赤堀清崇;田中浩基
• 申請（專利權）人: 住友重機械工業株式會社;國立大學法人京都大學
• 主分類號: A61N5/10
• 分類號: A61N5/10
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 樸勇

1.一種中子俘獲治療法系統，其具備：

中子射線生成部，產生中子射線；

被照射體載置部，載置照射所述中子射線的被照射體；及

γ射線探測部，檢測因被照射所述中子射線而從所述被照射體放出的γ射線，

所述γ射線探測部具有：

放出部，通過入射所述γ射線放出光或電子；

放大部，與所述放出部相鄰而設置，并放大從所述放出部放出的所述光或所述電子而輸出；

第1中子射線屏蔽部，由含有鋰6的物質形成；及

第2中子射線屏蔽部，設置于比所述第1中子射線屏蔽部更靠外側，并由輕元素形成，

所述第1中子射線屏蔽部以至少覆蓋所述放出部的面中的與和所述放大部相鄰的相鄰面相反的一側的面的方式設置。

2.根據權利要求1所述的中子俘獲治療法系統，其中，

所述γ射線探測部還具有γ射線屏蔽部，該γ射線屏蔽部設置于所述第1中子射線屏蔽部與所述第2中子射線屏蔽部之間。

3.根據權利要求1或2所述的中子俘獲治療法系統，其中，

所述第1中子射線屏蔽部以覆蓋所述放出部的面中的除了所述相鄰面以外的面的方式設置。

4.根據權利要求3所述的中子俘獲治療法系統，其中，

覆蓋所述相反的一側的面的所述第1中子射線屏蔽部的厚度大于覆蓋所述放出部的其他面的所述第1中子射線屏蔽部的厚度。

5.一種中子俘獲治療法用γ射線檢測器，其具備：

放出部，通過入射γ射線放出光或電子；

放大部，與所述放出部相鄰而設置，并放大從所述放出部放出的所述光或所述電子而輸出；

第1中子射線屏蔽部，由含有鋰6的物質形成；及

第2中子射線屏蔽部，設置于比所述第1中子射線屏蔽部更靠外側，并由輕元素形成，

所述第1中子射線屏蔽部以至少覆蓋所述放出部的面中的與和所述放大部相鄰的相鄰面相反的一側的面的方式設置。