[發明專利]中子俘獲治療法系統及中子俘獲治療法用γ射線檢測器

在審

• 申請號: 201810181614.2
• 申請日: 2018-03-06
• 公開（公告）號: CN108686306A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 赤堀清崇;田中浩基
• 申請（專利權）人: 住友重機械工業株式會社;國立大學法人京都大學
• 主分類號: A61N5/10
• 分類號: A61N5/10
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 樸勇

本發明提供一種在高強度的中子場中也能夠高精度地檢測γ射線的中子俘獲治療法系統及中子俘獲治療法用γ射線檢測器。中子俘獲治療法系統(1)具備：中子射線生成部(10)；載置患者(H)即被照射體的被照射體載置部(20)；及檢測從患者(H)即被照射體放出的γ射線(G)的γ射線探測部(30)，γ射線探測部(30)具有：放出部(31)，通過入射γ射線(G)放出光或電子；放大部(32)，放大從放出部(31)放出的光或所述電子而輸出；第1中子射線屏蔽部(33)，由含有鋰6的物質形成；及第2中子射線屏蔽部(34)，由輕元素形成，第1中子射線屏蔽部(33)以至少覆蓋放出部(31)的面中的與和放大部(32)的相鄰面(31a)相反的一側的面的方式設置。

技術領域

本申請主張基于2017年3月29日申請的日本專利申請第2017-066025號的優先權。其申請的全部內容通過參考援用于本說明書中。

本發明涉及一種中子俘獲治療法系統及中子俘獲治療法用γ射線檢測器。

背景技術

作為癌癥治療等中的放射線治療法之一，具有通過中子射線的照射進行癌癥治療的硼中子俘獲治療法(BNCT：Boron Neutron Capture Therapy)。硼中子俘獲治療法中，將中子射線照射到被施用含有硼的藥劑的患者的患部，并使硼與中子的反應在癌細胞中產生而破壞癌細胞。

這種硼中子俘獲治療法中，期望實時測定患者體內的硼濃度。專利文獻1中記載有中子俘獲治療法裝置，該中子俘獲治療法裝置具備檢測伴隨中子射線與硼的反應而產生的γ射線的γ射線檢測器，能夠從與通過γ射線探測部檢測的γ射線有關的信息計算患者體內的硼濃度。

專利文獻1：日本特開2016-159107

由于中子俘獲治療法的治療環境為高強度的中子場，γ射線檢測器容易劣化。因此，有可能降低γ射線的檢測精度。由此，在高強度的中子場中也要求高精度地檢測γ射線。

發明內容

本發明是為了解決這種課題而完成的，其目的在于提供一種在高強度的中子場中也能夠高精度地檢測γ射線的中子俘獲治療法系統及中子俘獲治療法用γ射線檢測器。

本發明的一方式所涉及的中子俘獲治療法系統，其具備：中子射線生成部，產生中子射線；被照射體載置部，載置照射中子射線的被照射體；及γ射線探測部，檢測因被照射中子射線而從被照射體放出的γ射線，γ射線探測部具有：放出部，通過入射γ射線放出光或電子；放大部，與放出部相鄰而設置，并放大從放出部放出的光或所述電子而輸出；第1中子射線屏蔽部，由含有鋰6的物質形成；及第2中子射線屏蔽部，設置于比第1中子射線屏蔽部更靠外側，并由輕元素形成，第1中子射線屏蔽部以至少覆蓋放出部的面中的與和放大部相鄰的相鄰面相反的一側的面的方式設置。

該中子俘獲治療法系統中，γ射線探測部具有：由含有鋰6的物質形成的第1中子射線屏蔽部；及設置于比第1中子射線屏蔽部更靠外側，并由輕元素形成的第2中子射線屏蔽部。入射到γ射線探測部的放出部的中子射線被第1中子射線屏蔽部及第2中子射線屏蔽部屏蔽，因此能夠抑制放出部的劣化。并且，鋰6與輕元素相比，屏蔽中子射線的功能高，因此能夠可靠地屏蔽入射到放出部的中子射線。由此，在高強度的中子場中也能夠抑制放出部的劣化，并能夠高精度地檢測γ射線。

一方式所涉及的中子俘獲治療法系統中，γ射線探測部還可以具有設置于第1中子射線屏蔽部與第2中子射線屏蔽部之間的γ射線屏蔽部。根據該結構，能夠抑制γ射線從放出部中的除了與和放大部相鄰的相鄰面相反的一側的面以外的面入射到放出部。

一方式所涉及的中子俘獲治療法系統中，第1中子射線屏蔽部也可以以覆蓋放出部的面中的除了相鄰面以外的面的方式設置。根據該結構，能夠更可靠地屏蔽入射到放出部的中子射線。