[發明專利]LED器件外延結構及其制作方法在審
| 申請號： | 201810181170.2 | 申請日： | 2018-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN108428773A | 公開（公告）日： | 2018-08-21 |
| 發明（設計）人： | 沈學如 | 申請（專利權）人： | 澳洋集團有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 蘇州市港澄專利代理事務所(普通合伙) 32304 | 代理人： | 馬麗麗 |
| 地址： | 215600 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子阻擋層 阻擋層 外延結構 漸變 空穴 量子阱有源區 多量子阱層 極化效應 量子阱層 依次疊加 約束能力 未摻雜 襯底 減小 制作 申請 | ||
1.一種LED器件外延結構，其特征在于，包括依次形成于襯底上的未摻雜的GaN層、n型摻雜的GaN層、多量子阱層、電子阻擋層和p型摻雜的GaN層，所述電子阻擋層包括依次疊加的第一阻擋層和第二阻擋層，所述第一阻擋層為Al組分自下向上漸變增加的AlxGa1-xN層，0＜x≤0.15，所述第二阻擋層為Al0.15Ga0.85N層。
2.根據權利要求1所述的LED器件外延結構，其特征在于，所述多量子阱層為InGaN/GaN多量子阱層。
3.根據權利要求1所述的LED器件外延結構，其特征在于，所述多量子阱層由2～10對InGaN層與GaN層依次堆疊組成。
4.根據權利要求3所述的LED器件外延結構，其特征在于，所述多量子阱層中每層InGaN層的厚度為6nm，每層GaN層的厚度為10nm。
5.根據權利要求1所述的LED器件外延結構，其特征在于，所述n型摻雜的GaN層和多量子阱層之間設置有應力釋放層。
6.根據權利要求5所述的LED器件外延結構，其特征在于，所述應力釋放層為超晶格結構，所述應力釋放層的每個周期包括InxGa1-xN層和生長在所述InxGa1-xN層之上的GaN層，0<x＜y。
7.根據權利要求1所述的LED器件外延結構，其特征在于，所述第一阻擋層的厚度為15nm。
8.根據權利要求1所述的LED器件外延結構，其特征在于，所述第二阻擋層的厚度為5nm。
9.根據權利要求1所述的LED器件外延結構，其特征在于，所述襯底為藍寶石。
10.權利要求1至9任一所述的LED器件外延結構的制作方法，其特征在于，包括：
(1)、提供藍寶石襯底；
(2)、采用MOCVD設備，在500℃的溫度下，在藍寶石襯底上依次生長未摻雜的GaN層和n型摻雜的GaN層；
(3)、在溫度為700℃～800℃生長InGaN/GaN多量子阱層，周期數為2～10；
(4)、在溫度700℃～900℃，生長電子阻擋層；
(5)、在溫度1000℃，生長p型摻雜的GaN層。
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