[發明專利]半導體器件及其制造方法以及用于半導體器件的檢查設備

在審

• 申請號: 201810180830.5
• 申請日: 2018-03-06
• 公開（公告）號: CN108666227A
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: 西田浩二;百田徹
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L25/16
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張小穩

本公開涉及半導體器件及其制造方法以及用于半導體器件的檢查設備。本發明要解決的問題是可以改善半導體器件的集成度。在執行用于測試晶片中形成的芯片區域(CP)中的集成電路的電特性的晶片檢查步驟中，在使具有相對小直徑的第一探針與用于小電流的第一焊盤接觸并使具有相對大直徑的第二探針與用于大電流的第二焊盤接觸的狀態下執行測試。用于形成集成電路的布線和場效應晶體管布置在第一焊盤的正下方，第一探針的相對小的針壓力被施加到該第一焊盤。另一方面，用于形成集成電路的布線和場效應晶體管沒有布置在第二焊盤的正下方，第二探針的相對大的針壓力被施加到第二焊盤。

相關申請的交叉引用

2017年3月28日提交的日本專利申請No.2017-063495的公開(包括說明書、附圖和摘要)通過引用整體并入本文。

技術領域

本發明涉及半導體器件的制造方法、半導體器件以及用于半導體器件的檢查設備技術，并且例如涉及需要高集成化的半導體器件的制造方法、半導體器件以及可以有效地應用于半導體器件的檢查設備的技術。

背景技術

例如，日本未審查專利申請公開No.2000-206148(專利文獻1)描述了在半導體器件的制造步驟的檢查步驟中使用的測試器。專利文獻1公開了這樣一種技術，其中除測量針之外還在測試器的探針卡中提供了定位針，并且通過使用在測量針與焊盤接觸之前使定位針與定位焊盤接觸產生的針痕跡將測量針的位置和半導體器件的焊盤的位置對準。

相關技術文獻

專利文獻

[專利文獻1]日本未審查專利申請公開No.2000-206148

發明內容

在半導體器件中，需要更高的功能和更高的性能，并且正在促進形成半導體器件的元件和布線的更高集成度。然而，通過使半導體器件的元件和布線本身小型化而獲得的集成度的改善已經達到極限，并且在半導體器件的制造步驟中也期望用于改善半導體器件的集成度的各種技術。

根據本說明書的描述和附圖，其它問題和新特性將變得清楚。

在根據一個實施例的半導體器件的制造方法中，其中在第二電極的正下方每一個布置有用于形成半導體晶片的半導體芯片中的集成電路的集成電路圖案的層的數量小于在第一電極的正下方每一個布置有用于形成半導體晶片的半導體芯片中的集成電路的集成電路圖案的層的數量，其中在晶片檢查步驟中從測量針向第二電極施加相對大的針壓力并且從測量針向第一電極施加相對小的針壓力。

此外，根據一個實施例的用于半導體器件的檢查設備包括：第一測量針和第二測量針，第一測量針在第一針壓力下與半導體芯片的電極接觸，第二測量針在大于第一針壓力的第二針壓力下與半導體芯片的電極接觸，其中第二測量針的厚度被設定為大于第一測量針的厚度。

根據一個實施例，可以改善半導體器件的集成度。

附圖說明

圖1是例示根據本實施例的半導體器件的制造步驟的步驟圖；

圖2是平面圖，其左側是圖1中的晶片處理步驟之后的晶片的平面圖，并且其右側是在晶片中形成的芯片區域的放大平面圖；

圖3是圖2中的接合焊盤的放大平面圖；

圖4示出了截面圖，其左側是沿著圖3中的線I-I截取的，并且其右側是沿著圖3中的線II-II截取的；

圖5是例示在圖1中的晶片檢查步驟中將探針卡的探針壓靠晶片的芯片區域中的接合焊盤的狀態的說明圖；

圖6是例示圖5中虛線包圍的區域A1的放大說明圖；