[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201810180316.1
• 申請日: 2018-03-05
• 公開（公告）號: CN109427656B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 黃冠維;范振豊;陳育裕
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;張福根

1.一種半導體裝置的制造方法，包括：

在一金屬部件上方形成一第一圖案化層；

在該第一圖案化層上方沉積一第一掩模層和介于該第一圖案化層與該第一掩模層之間的一第二掩模層；

將該第一掩模層圖案化，以在該第一掩模層中形成一第一組的一或多個開口；

薄化該第一掩模層；

將被薄化的該第一掩模層的圖案轉移至該第一圖案化層，以形成一第二組的一或多個開口在該第一圖案化層中；以及

蝕刻該第一圖案化層，以加寬該第二組的一或多個開口，其中當該第二掩模層在該第一圖案化層上方時，加寬該第二組的一或多個開口。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該第一圖案化層是硅層。

3.如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，更包括：

在加寬該第二組的一或多個開口之后，在該第一圖案化層上方沉積一間隔材料；

非等向性地蝕刻該間隔材料，以形成一間隔圖案層；

移除該第一圖案化層；以及

根據該間隔圖案層蝕刻一目標層，其中該目標層是介于該第一圖案化層與該金屬部件之間。

4.如權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其中蝕刻該目標層在該目標層中形成一第三組的一或多個開口，且該半導體裝置的制造方法更包括：

在該目標層的該第三組的一或多個開口中沉積一導電材料，其中該導電材料耦接至該金屬部件。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該第一圖案化層是氧化物層。

6.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，更包括：

薄化該第一圖案化層。

7.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，更包括：

將該第二掩模層圖案化，以在該第二掩模層中形成一第三組的一或多個開口；

薄化該第二掩模層；

將該第二掩模層的圖案轉移至該第一圖案化層，以形成一第四組的一或多個開口在該第一圖案化層中；以及

根據在該第一圖案化層中的該第二組的一或多個開口和該第四組的一或多個開口蝕刻一目標層。

8.如權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其中蝕刻該目標層在該目標層中形成一第三組的一或多個開口，且該半導體裝置的制造方法更包括：

在該目標層的該第三組的一或多個開口中沉積一導電材料，其中該導電材料耦接至該金屬部件。

9.如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其中在蝕刻該目標層之前，薄化該第一圖案化層。

10.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，更包括：

在薄化該第一掩模層之后，蝕刻該第二掩模層；以及

在蝕刻該第二掩模層之后，蝕刻介于該第一圖案化層與該第二掩模層之間的一第三掩模層，其中將該第一掩模層的圖案轉移至該第一圖案化層，以形成一第二組的一或多個開口在該第一圖案化層中包括根據該第三掩模層的圖案蝕刻該第一圖案化層。

11.一種半導體裝置的制造方法，包括：

在一基底上方形成一介電層，其中該基底含有一或多個有源裝置；

在該介電層上方形成一第一圖案化層；

在該第一圖案化層上方形成一第一的三層，其中該第一的三層包括一第一材料的一頂層、一第二材料的一中間層和一第三材料的一底層；

將該頂層圖案化，以形成一第一組開口；

薄化該頂層，以降低該第一組開口的一高度對寬度的比值；

將該頂層的圖案轉移至該中間層，以形成一第二組開口；

將該中間層的圖案轉移至該底層，以形成一第三組開口；

通過該第三組開口蝕刻該第一圖案化層，以形成一第四組開口；以及

當該底層位于該第一圖案化層上方時，通過該第三組開口蝕刻該第一圖案化層以加寬該第四組開口，其中位于該第一圖案化層正下方的一層防止在加寬該第四組開口時蝕刻該介電層。