[發明專利]晶片結合及剝離的方法有效
| 申請號: | 201810180105.8 | 申請日: | 2018-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN108400088B | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發明(設計)人: | 馮玙璠;陳治賢;莊昌輝;范小貞;趙前來;黃漢杰;何江玲;尹建剛;高云峰 | 申請(專利權)人: | 大族激光科技產業集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/20 | 分類號: | H01L21/20 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 石佩 |
| 地址: | 518051 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 結合 剝離 方法 | ||
1.一種晶片結合及剝離的方法,其特征在于,包括以下步驟:
在基板或晶片上通過旋涂或卷對卷涂布工藝將復合材料涂覆于所述基板或晶片上并進行固化形成釋放層,構成所述釋放層的材質包含粘合劑,在真空環境中在受控的熱或壓力條件下物理地將所述基板和所述晶片粘合,且所述釋放層位于所述基板和所述晶片之間,所述釋放層的厚度為200nm~1000nm,所述釋放成能夠填補所述晶片一側的凹凸部分;
對所述晶片遠離所述釋放層的表面進行加工;
將呈高斯分布的激光束整形為矩形平頂光束或線光束后,掃描所述釋放層,使得在釋放層所有被掃描到的區域所接收到的激光能量均勻,以將所述釋放層完全分解,使得所述基板和所述晶片剝離,其中所述矩形平頂光束的截面尺寸為300μm*100μm;
所述激光束為紫外激光,所述釋放層還包含有苯氧基樹脂,所述釋放層對紫外激光的吸收率大于或等于90%;
所述基板的厚度為300μm~600μm,所述基板對308nm和355nm波長的紫外激光的透過率可達95%以上。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述激光束的波長為308nm或355nm。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述基板的材質為玻璃。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,將呈高斯分布的激光束整形為矩形平頂光束或線光束的步驟包括:采用衍射光學元件或微透鏡陣列,將呈高斯分布的光斑整形為矩形平頂光束或線光束。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,對晶片具體加工方式包括晶片厚度減薄加工,晶片背側工藝以及晶片后側形成硅直通。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





