[發明專利]提高芯片內部基準電壓值精度的校準系統及方法有效
| 申請號: | 201810177831.4 | 申請日: | 2018-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN110231510B | 公開(公告)日: | 2021-06-18 |
| 發明(設計)人: | 孫紅新;顧曉紅;趙海 | 申請(專利權)人: | 華潤微集成電路(無錫)有限公司 |
| 主分類號: | G01R19/25 | 分類號: | G01R19/25 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王潔 |
| 地址: | 214135 江蘇省無錫市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 提高 芯片 內部 基準 電壓 精度 校準 系統 方法 | ||
1.一種提高芯片內部基準電壓值精度的校準系統,其特征在于,所述的系統包括燒錄器和半自動燒錄機臺,所述半自動燒錄機臺與一待測芯片接觸時產生一接地端的接觸電阻,所述的燒錄器和所述的半自動燒錄機臺相配合以對所述的待測芯片進行校準,且所述的燒錄器通過增設一AD轉換通道以測量所述接觸電阻兩端的電壓差值,并通過消除所述接觸電阻兩端的電壓差值以實現對所述待測芯片內部基準電壓值的校準。
2.根據權利要求1所述的提高芯片內部基準電壓值精度的校準系統,其特征在于,所述的燒錄器具有第一AD轉換通道和第二AD轉換通道,所述的燒錄器分別通過所述的第一AD轉換通道和第二AD轉換通道測量所述待測芯片的待校準電壓值和所述接觸電阻兩端的電壓差值,且所述的燒錄器根據通過所述待測芯片的待校準電壓值與所述接觸電阻兩端的電壓差值之間的相減處理所得到的校準電壓值實現對所述待測芯片內部基準電壓值的校準。
3.一種基于權利要求1所述的系統提高芯片內部基準電壓值精度的校準控制方法,其特征在于,所述的方法包括以下步驟:
(1)所述的燒錄器向所述的待測芯片輸入與當前校準值相對應的校準時序信號,并使所述的待測芯片進入校準過程;
(2)所述的燒錄器與所述的半自動燒錄機臺相配合以檢測所述待測芯片的待校準電壓值及所述的接觸電阻兩端的電壓差值,并進行所述待測芯片的待校準電壓值以及所述接觸電阻兩端的電壓差值的相減處理,以得到與當前校準值相對應的所述待測芯片的校準電壓值;
(3)所述的燒錄器判斷是否存在最佳校準電壓值,如存在,則根據與所述最佳校準電壓值相對應的校準值設定所述待測芯片的內部基準電壓值并結束整個校準過程,否則輸出校準失敗的結果。
4.根據權利要求3所述的提高芯片內部基準電壓值精度的校準控制方法,其特征在于,所述的燒錄器具有第一AD轉換通道、第二AD轉換通道和燒錄器接地端,所述的待測芯片具有第一輸出端、第二輸出端和第三接地端,所述的第一AD轉換通道通過所述的半自動燒錄機臺與所述的第一輸出端相連接,所述的第二AD轉換通道通過所述的半自動燒錄機臺與所述的第二輸出端相連接,所述的步驟(2)包括以下步驟:
(2.1)所述的燒錄器通過所述的第一AD轉換通道測量第一參數,同時控制所述的第二輸出端輸出相對于所述第三接地端零電平的電壓值且所述的燒錄器通過所述的第二AD轉換通道測量第二參數,所述的第一參數為所述第一輸出端輸出的相對于所述第三接地端的所述待校準電壓值,所述的第二參數為所述第二輸出端輸出的相對于所述燒錄器接地端的所述接觸電阻兩端的電壓差值;
(2.2)所述的燒錄器進行所述待校準電壓值和所述接觸電阻兩端的電壓差值的相減處理,以得到與當前校準值相對應的所述待測芯片的校準電壓值。
5.根據權利要求3所述的提高芯片內部基準電壓值精度的校準控制方法,其特征在于,所述的步驟(3)包括:
(3.1)所述的燒錄器判斷當前校準電壓值與系統預設電壓值是否相等,如相等,則令當前校準電壓值為最佳校準電壓值并進入步驟(3.5),否則繼續步驟(3.2);
(3.2)重復上述步驟(1)和(2),直至當前校準值達到系統預設的校準最大值;
(3.3)所述的燒錄器選取最接近所述系統預設電壓值的校準電壓值;
(3.4)所述的燒錄器判斷所述最接近系統預設電壓值的校準電壓值是否符合系統預設的精度誤差允許范圍,如符合,則選取所述最接近系統預設電壓值的校準電壓值為所述最佳校準電壓值,并進入步驟(3.5),否則輸出校準失敗的結果;
(3.5)所述的燒錄器根據與所述最佳校準電壓值相對應的校準值設定所述待測芯片的內部基準電壓值,并結束整個校準過程。
6.根據權利要求5所述的提高芯片內部基準電壓值精度的校準控制方法,其特征在于,所述的步驟(1)之前,還包括:對當前校準值進行初始化,以令當前校準值為0;
所述的步驟(3.2)中,所述的燒錄器控制當前校準值進行加1處理直至達到所述系統預設的校準最大值。
7.根據權利要求6所述的提高芯片內部基準電壓值精度的校準控制方法,其特征在于,所述的系統預設的校準最大值為15。
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