[發明專利]一種溫補衰減器及其制備方法

有效

• 申請號: 201810177674.7
• 申請日: 2018-03-05
• 公開（公告）號: CN110233013B
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 陳慶紅;龐錦標;張青;韓玉成;羅彥軍;朱雪婷;郭冬英
• 申請（專利權）人: 中國振華集團云科電子有限公司
• 主分類號: H01C7/02
• 分類號: H01C7/02;H01C7/04;H03H7/24
• 代理公司: 昆明合眾智信知識產權事務所 53113
• 代理人: 張璽

本發明公開了一種溫補衰減器的制備方法，所述溫補衰減器由正溫度系數電阻和負溫度系數電阻組成，所述正溫度系數電阻和負溫度系數電阻分別由正溫度系數電阻漿料和負溫度系數電阻漿料印刷燒結形成，所述正溫度系數電阻漿料包括超細金粉，所述負溫度系數電阻漿料包括類球形的NTC功能粉體。本發明解決了溫補衰減器高頻性能與1GHz一致性問題，產品在標稱的頻率范圍使用時可以保證系統不會出現較大的干擾，提高溫補衰減器的高頻性能。

技術領域

本發明屬于電子器件技術領域，具體涉及一種溫補衰減器及其制備方法。

背景技術

高可靠溫度補償衰減器目前主流的制備方式為厚膜工藝，溫補衰減器是一種微波元器件，不同頻率下的溫度補償效果是產品的重要性能，不同產品型號規格應用于不同的頻率范圍。目前溫補衰減器性能指標大多針對1GHz 下進行定義，如衰減量、衰減量溫度系數、駐波比等。

一般情況下溫補衰減器在1GHz下溫度補償效果都能達到標稱值，但是高頻下往往會偏離標稱值較多。因此提升高頻下性能指標與1GHz下性能指標的一致性是當前溫補衰減器的技術難題。

發明內容

為了解決上述問題，本發明提供了一種厚膜溫度補償衰減器高頻性能提升的設計和制備方法，解決了溫補衰減器高頻性能與1GHz一致性問題，產品在標稱的頻率范圍使用時可以保證系統不會出現較大的干擾。

本發明的技術方案為：一種溫補衰減器的制備方法，所述溫補衰減器由正溫度系數電阻和負溫度系數電阻組成，所述正溫度系數電阻和負溫度系數電阻分別由正溫度系數電阻漿料和負溫度系數電阻漿料印刷燒結形成，所述正溫度系數電阻漿料包括超細金粉，所述負溫度系數電阻漿料包括類球形的NTC功能粉體。

金粉的加入有以下兩個改進：一方面，提高了正溫度系數電阻漿料(PTC 電阻漿料)的TCR值，其余條件相同的情況下，制備的溫補衰減器衰減量隨溫度變化的線性度較好；另一方面，超細金粉加入后的PTC電阻漿料燒結后形成的PTC電阻體在高頻下表面趨膚效應較好，可以保證溫補衰減器中PTC電阻體在高頻下(2～10GHz或其他)和1GHz相比有非常接近的溫度系數。

負溫度系數電阻漿料(NTC電阻漿料)在制備過程中，對NTC功能粉體的顆粒形狀加以改善，由方形改進為類球形，負溫度系數漿料在高頻下的性能有顯著的提升。

作為優選，所述超細金粉平均粒徑小于5μm。

作為進一步優選，所述超細金粉平均粒徑2～3μm。

作為優選，所述NTC功能粉體的粒徑為0.2μm。對NTC功能粉體的粒徑大小由原來的0.5μm降低至0.2μm，負溫度系數漿料在高頻下的性能有顯著的提升。

作為優選，所述負溫度系數電阻包括第一負溫度系數電阻區域以及第二負溫度系數電阻區域，所述第一負溫度系數電阻區域與第二負溫度系數電阻區域相鄰的一端呈形狀相同的曲線狀。負溫度系數電阻一般需要對電極進行降低方數處理，以實現制備溫補衰減器特定規格的衰減量和衰減量溫度系數。在降低方數處理中，常規方式為插入型電極，這種插入型電極設計會使負溫度系數電阻在高頻下存在相位的遲豫現象，高頻下的溫度系數與1GHz下具有一定的差距。本發明更改后負溫度系數電阻在高頻下與1GHz下的溫度特性相差不大。

作為優選，所述正溫度系數電阻和負溫度系數電阻的厚度為12～16μm。對正溫度系數電阻和負溫度系數電阻的印刷膜厚進行控制，仿真結果表明印刷膜厚對高頻性能影響較大。但是膜層厚度太薄時影響產品的額定功率，因此通過多次試驗確定正溫度系數電阻體和負溫度系數電阻體的膜厚，提高了溫補衰減器的高頻性能。