[發明專利]一種溫補衰減器及其制備方法有效
| 申請號： | 201810177674.7 | 申請日： | 2018-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN110233013B | 公開（公告）日： | 2021-07-16 |
| 發明（設計）人： | 陳慶紅;龐錦標;張青;韓玉成;羅彥軍;朱雪婷;郭冬英 | 申請（專利權）人： | 中國振華集團云科電子有限公司 |
| 主分類號： | H01C7/02 | 分類號： | H01C7/02;H01C7/04;H03H7/24 |
| 代理公司： | 昆明合眾智信知識產權事務所 53113 | 代理人： | 張璽 |
| 地址： | 550000 貴州省*** | 國省代碼： | 貴州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 衰減器 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種溫補衰減器的制備方法，其特征在于，所述溫補衰減器由正溫度系數電阻和負溫度系數電阻組成，所述正溫度系數電阻和負溫度系數電阻分別由正溫度系數電阻漿料和負溫度系數電阻漿料印刷燒結形成，所述正溫度系數電阻漿料包括超細金粉，所述負溫度系數電阻漿料包括類球形的NTC功能粉體。
2.如權利要求1所述的溫補衰減器的制備方法，其特征在于，所述超細金粉平均粒徑小于5μm。
3.如權利要求2所述的溫補衰減器的制備方法，其特征在于，所述超細金粉平均粒徑為2～3μm。
4.如權利要求1所述的溫補衰減器的制備方法，其特征在于，所述NTC功能粉體的粒徑為0.2μm。
5.如權利要求1所述的溫補衰減器的制備方法，其特征在于，所述負溫度系數電阻包括第一負溫度系數電阻區域以及第二負溫度系數電阻區域，所述第一負溫度系數電阻區域與第二負溫度系數電阻區域相鄰的一端呈形狀相同的曲線狀。
6.如權利要求1所述的溫補衰減器的制備方法，其特征在于，所述正溫度系數電阻和負溫度系數電阻的厚度為12～16μm。
7.如權利要求1所述的溫補衰減器的制備方法，其特征在于，所述正溫度系數電阻包括兩個正溫度系數電阻體，兩個正溫度系數電阻體之間的間距為正溫度系數電阻體寬度5倍以上。
8.一種由權利要求1～7任一所述的制備方法制備得到的溫補衰減器。
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