[發明專利]插入式連接器

在審

• 申請號: 201810177234.1
• 申請日: 2018-03-05
• 公開（公告）號: CN108574161A
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: U·蔡格邁斯特
• 申請（專利權）人: 迪爾金屬應用有限公司
• 主分類號: H01R13/03
• 分類號: H01R13/03
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 許劍樺

本發明涉及一種包括壓入體(2)的插入式連接器(1)，該壓入體(2)涂覆有第一含Ni層(3)和第二含Ni層(4)，其中第一和/或第二含Ni層是納米晶體或非晶體層。

技術領域

本發明涉及一種插入式連接器。

背景技術

適于插入或壓入電路板的孔中的插入式連接器由例如DE102008042824A1已知。該插入式連接器有近似圓柱形區域，插入電路板中的插入式連接器在該區域中建立與電路板的電接觸，下文中，該區域將稱為接觸區域。傳統的插入式連接器有壓入體，該壓入體能夠由銅、青銅或CuSn₆制成。壓入體涂覆有兩層，這兩層布置成至少局部相互重疊，其中，外部層包括硫醇。該硫醇用作鈍化劑或潤滑劑，以便限制在壓入過程中所需的壓入力。這種插入式連接器的缺點是在接觸區域中需要有機中間層，該有機中間層對電特性有不利影響。

發明內容

本發明的目的是克服現有技術的缺點。特別是，將提供一種插入式連接器，該插入式連接器能夠使用較低壓入力而壓入電路板中，且制造簡單。

該目的通過權利要求1的特征來實現。本發明的優選實施例能夠由從屬權利要求中得出。

根據本發明，提供了一種插入式連接器，該插入式連接器包括壓入體，該壓入體涂覆有第一含Ni層和第二含Ni層的，其中，第一和/或第二含Ni層是納米晶體或非晶體層。

第一含Ni層和第二含Ni層有不同數量級的顆粒尺寸。特別是，一個層能夠是微晶體，另一層能夠是納米晶體或非晶體。為了本發明目的，“微晶體”的意思是顆粒尺寸在從0.3μm至7μm的范圍內，特別是從0.5μm至3μm。為了本發明目的，“納米晶體”的意思是顆粒尺寸為從4nm至200nm，特別是從4nm至100nm，特別是從4nm至80nm，特別是4nm至60nm。為了本發明目的，“非晶體”的意思是不能通過常規方法(例如X射線衍射、電子衍射或透射電子顯微鏡)而檢測到晶體。

特別是，含Ni層不含有任何可感知量的有機雜質。含Ni層優選是含有至少80％重量百分比的鎳，特別是至少90％重量百分比的鎳。含Ni層特別優選是含有至少95％重量百分比的鎳，特別是至少97％重量百分比的鎳。第一和第二含Ni層至少局部重疊，且它們優選是在其整個區域上重疊。

本發明的插入式連接器的優點是它能夠通過電化學涂層來進行涂覆，例如帶狀電鍍。通過有機助劑(organic auxiliary)產生的分離涂層并不是必須。因此，本發明的插入式連接器沒有任何有機涂層，特別是在它壓入電路板時與該電路板接觸的接觸區域中。

在優選實施例中，一個含Ni層是亞光鎳，另一含Ni層是光亮鎳。為了本發明目的，光亮鎳是具有光滑和光澤表面的鎳涂層。亞光鎳具有亞光(即相對粗糙)的表面。已知電解質用于生產光亮鎳或亞光鎳。

在還一實施例中，本發明的插入式連接器的第一或第二含Ni層是非晶體層，它包含直至15％重量百分比的磷，特別是直至10％重量百分比的磷。非晶體含Ni層能夠通過添加磷而穩定。

納米晶體和/或非晶體層優選是具有從0.1至3μm的厚度，特別是從0.1至2.2μm，特別是從0.1至1μm，特別是從0.1至0.7μm，特別是從0.1至0.3μm。在壓入體上的層順序能夠特別從表1中所示的層順序中選擇：

表1

在優選實施例中，本發明的插入式連接器的壓入體包括銅、銅合金或鋼。特別是，銅合金能夠是由以下構成的合金：CuFe、FuFe₂P、CuNiSn、CuNiSi、CuZn、CuSnZn、CuSn₄、CuSn₆或CuSn₈。