[發明專利]插入式連接器在審
| 申請號： | 201810177234.1 | 申請日： | 2018-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN108574161A | 公開（公告）日： | 2018-09-25 |
| 發明（設計）人： | U·蔡格邁斯特 | 申請（專利權）人： | 迪爾金屬應用有限公司 |
| 主分類號： | H01R13/03 | 分類號： | H01R13/03 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 許劍樺 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 德國;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 插入式連接器 壓入體 非晶體層 納米晶體 涂覆 | ||
1.一種包括壓入體(2)的插入式連接器(1)，所述壓入體(2)涂覆有第一含Ni層(3)和第二含Ni層(4)；
其中，第一含Ni層(3)和/或第二含Ni層(4)是納米晶體層或非晶體層。
2.根據權利要求1所述的插入式連接器，其中：第一含Ni層(3)和第二含Ni層(4)中的一個是亞光鎳，第一含Ni層(3)和第二含Ni層(4)中的另一個是光亮鎳。
3.根據權利要求1所述的插入式連接器，其中：第一含Ni層(3)或第二含Ni層(4)是非晶體層，它含有直至15％重量百分比的磷，特別是直至10％重量百分比的磷。
4.根據前述任意一項權利要求所述的插入式連接器，其中：納米晶體和/或非晶體層的厚度是0.1-3μm，特別是0.1-2.2μm，特別是0.1-1μm，特別是0.1-0.7μm，特別是0.1-0.3μm。
5.根據前述任意一項權利要求所述的插入式連接器，其中：第三含Ni層(6)布置在第二含Ni層(4)的頂部上。
6.根據前述任意一項權利要求所述的插入式連接器，其中：第二含Ni層(4)是微晶體，第三含Ni層(6)是納米晶體或非晶體。
7.根據前述任意一項權利要求所述的插入式連接器，其中：壓入體(2)包括銅、銅合金或鋼。
8.根據權利要求7所述的插入式連接器，其中：銅合金是由以下構成的合金：CuFe、FuFe2P、CuNiSn、CuNiSi、CuZn、CuSnZn、CuSn4、CuSn6或CuSn8。
9.根據前述任意一項權利要求所述的插入式連接器，其中：由Cu或Sn構成的中間層(5)布置在壓入體(2)和第一含Ni層(3)之間。
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