[發明專利]減反膜及其制備方法、陣列基板、顯示裝置

在審

• 申請號: 201810174956.1
• 申請日: 2018-03-02
• 公開（公告）號: CN108363235A
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 張東徽;李靜;馬小葉;劉海峰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;G02F1/1362;H01L27/12
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;王衛忠

1.一種減反膜，其特征在于，包括薄膜本體，所述薄膜本體包括經過圖案化處理而得到的光路控制結構；

其中，所述減反膜設于襯底基板上，且所述襯底基板位于所述減反膜與空氣之間，所述光路控制結構被配置為使入射光線在所述襯底基板與空氣的界面上發生全反射。

2.根據權利要求1所述的減反膜，其特征在于，所述薄膜本體包括第一薄膜和第二薄膜構成的多層結構，所述第二薄膜設于所述第一薄膜背離所述襯底基板的一側；

所述光路控制結構包括由所述第一薄膜經過圖案化處理而得到的凸部以及由所述第二薄膜經過圖案化處理而得到的凹部，且所述凸部的凸出面與所述凹部的凹陷面相互貼合；

其中，所述凸部的底面與側面之間的夾角的兩倍大于光線從所述襯底基板射向空氣時的臨界角。

3.根據權利要求2所述的減反膜，其特征在于，所述凸部和所述凹部為棱錐結構。

4.根據權利要求2所述的減反膜，其特征在于，所述第一薄膜包括氮化硅薄膜，所述第二薄膜包括非晶硅薄膜。

5.根據權利要求1所述的減反膜，其特征在于，所述薄膜本體包括第三薄膜構成的結構，所述光路控制結構包括由所述第三薄膜經過圖案化處理而得到的納米管結構。

6.根據權利要求5所述的減反膜，其特征在于，所述第三薄膜包括非晶硅薄膜。

7.一種減反膜的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成薄膜本體，并對所述薄膜本體進行圖案化處理以得到光路控制結構；

其中，所述襯底基板位于所述減反膜與空氣之間，所述光路控制結構被配置為使入射光線在所述襯底基板與空氣的界面上發生全反射。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成薄膜本體，并對所述薄膜本體進行圖案化處理以得到光路控制結構包括：

在所述襯底基板上形成第一薄膜，并對所述第一薄膜進行圖案化處理，以得到呈凸部的第一薄膜結構；

在所述第一薄膜結構上形成第二薄膜，并對所述第二薄膜進行圖案化處理，以得到呈凹部的第二薄膜結構；

其中，所述凸部的底面與側面之間的夾角的兩倍大于光線從所述襯底基板射向空氣時的臨界角。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述對所述第一薄膜進行圖案化處理包括：

在所述第一薄膜上方形成第一光刻膠，通過連續半曝光掩模工藝對所述第一光刻膠進行曝光和顯影，再對所述第一光刻膠下方的所述第一薄膜進行刻蝕，以得到呈凸部的第一薄膜結構；

所述對所述第二薄膜進行圖案化處理包括：

在所述第二薄膜上方形成第二光刻膠，通過連續半曝光掩模工藝對所述第二光刻膠進行曝光和顯影，再對所述第二光刻膠下方的所述第二薄膜進行刻蝕，以得到呈凹部的第二薄膜結構；

其中，所述第一光刻膠和所述第二光刻膠中的一個為正性光刻膠、另一個為負性光刻膠。

10.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述凸部和所述凹部為棱錐結構。

11.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述第一薄膜包括氮化硅薄膜，所述第二薄膜包括非晶硅薄膜。

12.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成薄膜本體，并對所述薄膜本體進行圖案化處理以得到光路控制結構包括：

在所述襯底基板上形成第三薄膜，并對所述第三薄膜進行圖案化處理，以得到由多個納米管構成的第三薄膜結構。

13.根據權利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述第三薄膜包括非晶硅薄膜。