[發(fā)明專利]傳感器封裝件用涂覆裝置及利用其制造的傳感器封裝件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810171683.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-03-01 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108538733B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫東男;金山 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 韓國(guó)科泰高科株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 孫昌浩;李盛泉 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 傳感器 封裝 件用涂覆 裝置 利用 制造 | ||
1.一種傳感器封裝件用涂覆裝置,其特征在于,包括:
上模具,在下面形成有向下開(kāi)放的樹(shù)脂填充槽,并在所述樹(shù)脂填充槽填充有樹(shù)脂填充劑;
下模具,與所述上模具結(jié)合,并在上面形成有向上開(kāi)放的安裝固定槽;及
涂膜部,通過(guò)配置于所述上模具和下模具之間來(lái)密封所述樹(shù)脂填充槽,并具有涂層;
其中,所述樹(shù)脂填充劑對(duì)所述涂膜部施加熱量和壓力,并且,將所述涂層轉(zhuǎn)印至安裝固定于所述安裝固定槽的第一傳感器封裝件上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件用涂覆裝置,其特征在于,所述涂膜部的寬度形成為寬于所述上模具及下模具的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件用涂覆裝置,其特征在于,在所述安裝固定槽的底面形成有對(duì)所述第一傳感器封裝件進(jìn)行安裝固定的多個(gè)吸收孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件用涂覆裝置,其特征在于,
所述涂膜部,包括:
薄膜層,通過(guò)所述樹(shù)脂填充劑的加壓進(jìn)行彈性形變;及
涂層,設(shè)置于所述薄膜層的下面并轉(zhuǎn)印至所述第一傳感器封裝件;
其中,所述薄膜層和涂層被離型處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件用涂覆裝置,其特征在于,所述安裝固定槽的高度形成為等于或高于所述第一傳感器封裝件的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的傳感器封裝件用涂覆裝置,其特征在于,根據(jù)所述第一傳感器封裝件的厚度選擇性的調(diào)節(jié)填充于所述樹(shù)脂填充槽的所述樹(shù)脂填充劑的填充量。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件用涂覆裝置,其特征在于,在所述涂膜部的整體通過(guò)所述樹(shù)脂填充劑的加壓而緊貼于所述第一傳感器封裝件的上面的狀態(tài)下,將所述涂層轉(zhuǎn)印至所述第一傳感器封裝件的上面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件用涂覆裝置,其特征在于,在所述上模具的下面沿著所述樹(shù)脂填充槽的周長(zhǎng)設(shè)置有密封部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件用涂覆裝置,其特征在于,所述上模具加熱為與投入至所述樹(shù)脂填充槽的所述樹(shù)脂填充劑的溫度相比更低的溫度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件用涂覆裝置,其特征在于,對(duì)安裝固定于所述安裝固定槽的塊狀的所述第一傳感器封裝件的封裝部進(jìn)行階梯加工。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的傳感器封裝件用涂覆裝置,其特征在于,所述涂層轉(zhuǎn)印至所述封裝部的上面和側(cè)面。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝件用涂覆裝置,其特征在于,形成有所述涂層的塊狀的所述第一傳感器封裝件通過(guò)切削工藝制造成多個(gè)第二傳感器封裝件。
13.一種傳感器封裝件用涂覆裝置,其特征在于,包括:
上模具,在下面形成有平坦的加壓面;
下模具,與所述上模具結(jié)合,在上面形成有向上開(kāi)放的樹(shù)脂填充槽,并在所述樹(shù)脂填充槽填充有樹(shù)脂填充劑;
離型膜部,密封所述樹(shù)脂填充槽并在上面安裝有第一傳感器封裝件;及
涂膜部,配置于所述上模具和下模具之間并具有涂層;
其中,所述樹(shù)脂填充劑對(duì)所述第一傳感器封裝件施加熱量和壓力,并且將所述涂層轉(zhuǎn)印至所述第一傳感器封裝件的上面。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





