[發明專利]量子點發光二極管及其制備方法、顯示面板

有效

• 申請號: 201810171033.0
• 申請日: 2018-03-01
• 公開（公告）號: CN108376745B
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 李東
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

一種量子點發光二極管及其制備方法、顯示面板。該量子點發光二極管包括：空穴傳輸層，具有包括孔隙的多孔隙結構層；量子點發光層，設置在所述空穴傳輸層上；其中所述量子點發光層接觸所述多孔隙結構層且至少部分所述孔隙中設置有所述量子點發光層的形成材料。該量子點發光二極管中空穴傳輸層與量子點發光層的接觸面積較大，從而可以提高量子點發光層中空穴的注入量。

技術領域

本公開的實施例涉及一種量子點發光二極管及其制備方法、顯示面板。

背景技術

量子點(quantum dot，QD)是一種納米級別的半導體，通過對這種納米半導體材料施加一定的電場或光壓，它們會發出特定頻率的光。量子點作為發光材料時，具有光色純度高、發光量子效率高、發光顏色可調、使用壽命長等優點，成為目前新型LED發光材料的研究熱點。因此，以量子點材料作為發光層的量子點發光二極管(QLED)成為了目前新型顯示器件的主要研究方向。

發明內容

本公開至少一實施例提供一種量子點發光二極管，該量子點發光二極管包括：空穴傳輸層，具有包括孔隙的多孔隙結構層；量子點發光層，設置在所述空穴傳輸層上；其中所述量子點發光層接觸所述多孔隙結構層且至少部分所述孔隙中設置有所述量子點發光層的形成材料。

例如，本公開至少一實施例提供的量子點發光二極管中，所述空穴傳輸層包括上層空穴傳輸層和下層空穴傳輸層；所述上層空穴傳輸層為包括孔隙的多孔隙結構層；所述下層空穴傳輸層為致密層。

例如，本公開至少一實施例提供的量子點發光二極管，還包括：第一電極；空穴注入層，設置在所述第一電極上，并且所述空穴傳輸層設置在所述空穴注入層上；第二電極，設置在所述量子點發光層上。

例如，本公開至少一實施例提供的量子點發光二極管中，所述空穴注入層和/或所述空穴傳輸層的材料為無機材料。

例如，本公開至少一實施例提供的量子點發光二極管中，所述無機材料為鉬氧化物、釩氧化物、鎢氧化物或鎳氧化物。

例如，本公開至少一實施例提供的量子點發光二極管，還包括：電子傳輸層，設置在所述第二電極與所述量子點發光層之間；金屬氧化物層，設置在所述電子傳輸層和所述量子點發光層之間；和/或所述電子傳輸層和所述第二電極之間；和/或所述空穴傳輸層與所述量子點發光層之間和所述空穴傳輸層的孔隙中。

例如，本公開至少一實施例提供的量子點發光二極管中，所述金屬氧化物層包括具有粗糙表面的金屬氧化物薄膜。

例如，本公開至少一實施例提供的量子點發光二極管中，所述金屬氧化物層的材料為氧化鋁。

本公開至少一實施例提供一種顯示面板，包括上述任一量子點發光二極管。

本公開至少一實施例提供一種量子點發光二極管的制備方法，包括：形成空穴傳輸層，所述空穴傳輸層具有包括孔隙的多孔隙結構層；在所述空穴傳輸層上形成量子點發光層，所述量子點發光層形成為接觸所述多孔隙結構層且至少部分所述孔隙中形成有所述量子點發光層的形成材料。

例如，本公開至少一實施例提供的量子點發光二極管的制備方法中，形成所述空穴傳輸層包括形成上層空穴傳輸層和下層空穴傳輸層；所述上層空穴傳輸層為包括孔隙的多孔隙結構層；所述下層空穴傳輸層為致密層。

例如，本公開至少一實施例提供的量子點發光二極管的制備方法中，形成所述多孔隙結構層包括：將第一材料與第二材料混合，并使所述第一材料與第二材料進行水熱反應，然后將反應產物進行成膜處理以形成混合物膜；對所述混合物膜進行高溫煅燒，以去除所述混合物膜中的所述第二材料。

例如，本公開至少一實施例提供的量子點發光二極管的制備方法中，所述水熱反應完成后，將所述反應產物進行洗滌以去除沒有進行所述水熱反應的第一材料和/或第二材料，然后將所述反應產物進行成膜處理。