[發明專利]量子點發光二極管及其制備方法、顯示面板

有效

• 申請號: 201810171033.0
• 申請日: 2018-03-01
• 公開（公告）號: CN108376745B
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 李東
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種量子點發光二極管，包括：

空穴傳輸層，具有包括孔隙的多孔隙結構層；

量子點發光層，設置在所述空穴傳輸層上；

其中所述量子點發光層接觸所述多孔隙結構層且至少部分所述孔隙中設置有所述量子點發光層的形成材料，

所述量子點發光二極管還包括金屬氧化物層，所述金屬氧化物層設置在所述空穴傳輸層與所述量子點發光層之間以及所述空穴傳輸層的孔隙中。

2.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其中所述空穴傳輸層包括上層空穴傳輸層和下層空穴傳輸層；

所述上層空穴傳輸層為包括孔隙的多孔隙結構層；

所述下層空穴傳輸層為致密層。

3.根據權利要求1或2所述的量子點發光二極管，還包括:

第一電極；

空穴注入層，設置在所述第一電極上，并且所述空穴傳輸層設置在所述空穴注入層上；

第二電極，設置在所述量子點發光層上。

4.根據權利要求3所述的量子點發光二極管，其中，所述空穴注入層和/或所述空穴傳輸層的材料為無機材料。

5.根據權利要求4所述的量子點發光二極管，其中，所述無機材料為鉬氧化物、釩氧化物、鎢氧化物或鎳氧化物。

6.根據權利要求3所述的量子點發光二極管，還包括：

電子傳輸層，設置在所述第二電極與所述量子點發光層之間；

所述金屬氧化物層還設置在所述電子傳輸層和所述量子點發光層之間；和/或

所述電子傳輸層和所述第二電極之間；其中，所述金屬氧化物層包括具有粗糙表面的金屬氧化物薄膜。

7.根據權利要求6所述的量子點發光二極管，其中，所述金屬氧化物層的材料為氧化鋁。

8.一種顯示面板，包括權利要求1-7任一所述的量子點發光二極管。

9.一種量子點發光二極管的制備方法，包括：

形成空穴傳輸層，所述空穴傳輸層具有包括孔隙的多孔隙結構層；

在所述空穴傳輸層上形成量子點發光層，所述量子點發光層形成為接觸所述多孔隙結構層且至少部分所述孔隙中形成有所述量子點發光層的形成材料；以及

形成金屬氧化物層，所述金屬氧化物層形成在所述空穴傳輸層與所述量子點發光層之間以及所述空穴傳輸層的孔隙中。

10.根據權利要求9所述的量子點發光二極管的制備方法，其中，形成所述空穴傳輸層包括形成上層空穴傳輸層和下層空穴傳輸層；

所述上層空穴傳輸層為包括孔隙的多孔隙結構層；

所述下層空穴傳輸層為致密層。

11.根據權利要求9或10所述的量子點發光二極管的制備方法，其中，形成所述多孔隙結構層包括：

將第一材料與第二材料混合，并使所述第一材料與第二材料進行水熱反應，然后將反應產物進行成膜處理以形成混合物膜；

對所述混合物膜進行高溫煅燒，以去除所述混合物膜中的所述第二材料。

12.根據權利要求11所述的量子點發光二極管的制備方法，其中，

所述水熱反應完成后，將所述反應產物進行洗滌以去除沒有進行所述水熱反應的第一材料和/或第二材料，然后將所述反應產物進行成膜處理。

13.根據權利要求11所述的量子點發光二極管的制備方法，其中，

所述第一材料與所述第二材料的體積比為1:(1-4)。

14.根據權利要求13所述的量子點發光二極管的制備方法，還包括:

形成第一電極；

在所述第一電極上形成空穴注入層，并將所述空穴傳輸層形成在所述空穴注入層上；

在所述量子點發光層上形成電子傳輸層；

在所述電子傳輸層上形成第二電極。

15.根據權利要求14所述的量子點發光二極管的制備方法，其中，所述金屬氧化物層包括具有粗糙表面的金屬氧化物薄膜；形成所述具有粗糙表面的金屬氧化物薄膜包括：

采用蒸鍍或磁控濺射法形成具有粗糙表面的金屬薄膜，然后將所述金屬薄膜氧化；或者

采用蒸鍍或磁控濺射法在氧氣氛圍下直接形成所述具有粗糙表面的金屬氧化物薄膜，

所述金屬氧化物層還形成在所述電子傳輸層和所述量子點發光層之間；和/或

所述電子傳輸層和所述第二電極之間。