[發明專利]襯底處理裝置、半導體器件的制造方法及記錄介質

有效

• 申請號: 201810170974.2
• 申請日: 2018-03-01
• 公開（公告）號: CN108660438B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 高木康祐;山腰莉早;堀田英樹;平野敦士
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

本發明涉及襯底處理裝置、半導體器件的制造方法及記錄介質。要解決的課題為，控制在襯底上形成的膜的襯底面內膜厚分布。襯底處理裝置具有：處理室，對襯底進行形成包含主元素的膜的處理；第一噴嘴，對處理室內的襯底供給包含主元素的原料；第二噴嘴，設置于與第一噴嘴分開的位置，對處理室內的襯底供給原料；第三噴嘴，對處理室內的襯底供給反應物；和將處理室內的氣氛排氣的多個排氣口，其中，在俯視下，多個排氣口分別設置于與第一噴嘴的第一氣體噴出孔及第二噴嘴的第二氣體噴出孔不相對的位置。

技術領域

本發明涉及處理襯底的襯底處理裝置、半導體器件的制造方法及記錄介質。

背景技術

作為半導體器件的制造工序的一個工序，有時進行對襯底供給原料及反應物、在從而襯底之上形成膜的處理(例如，參見專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2014-236129號公報

發明內容

發明要解決的課題

本發明的目的在于，提供能夠控制在襯底上形成的膜的襯底面內膜厚分布的技術。

用于解決課題的手段

根據本發明的一個方案，提供一種技術，具有：處理室，對襯底進行形成包含主元素的膜的處理；第一噴嘴，對所述處理室內的襯底供給包含所述主元素的原料；第二噴嘴，設置于與所述第一噴嘴分開的位置，對所述處理室內的襯底供給所述原料；第三噴嘴，對所述處理室內的襯底供給反應物；和將所述處理室內的氣氛排氣的多個排氣口，其中，所述多個排氣口分別設置于在俯視下與所述第一噴嘴的第一氣體噴出孔及所述第二噴嘴的第二氣體噴出孔不相對的位置。

發明效果

根據本發明，能夠控制在襯底上形成的膜的襯底面內膜厚分布。

附圖說明

圖1：為本發明的一實施方式中適合使用的襯底處理裝置的立式處理爐的概略構成圖，是以縱剖面圖表示處理爐部分的圖。

圖2：為本發明的一實施方式中適合使用的襯底處理裝置的立式處理爐的概略構成圖，是以圖1的A-A線剖面圖表示處理爐部分的圖。

圖3：為本發明的一實施方式中適合使用的襯底處理裝置的控制器的概略構成圖，是以框圖表示控制器的控制系統的圖。

圖4：為示出本發明的一實施方式的成膜順序的圖。

圖5：為示出本發明的一實施方式中適合使用的襯底處理裝置的立式處理爐的變形例剖面構成圖。

圖6：(a)、(b)分別為示出本發明的一實施方式中適合使用的襯底處理裝置的立式處理爐的變形例的概略構成圖。

圖7：(a)為示出本發明的一實施方式中適合使用的第一～第三噴嘴的構成例的圖，(b)～(e)分別為示出第一、第二噴嘴的變形例的圖。

圖8：(a)為示意性地示出在使氣體噴出孔與排氣口相對的情況下的處理室內的氣體的流動的圖，(b)為示意性地示出在使氣體噴出孔與排氣口不相對的情況下的處理室內的氣體的流動的圖。

圖9：(a)為示出向處理室內供給的HCDS氣體的溫度的圖，(b)為示出HCDS氣體的熱分解特性的圖。

附圖標記說明

200 晶片(襯底)

201 處理室

249a 噴嘴(第一噴嘴)

249b 噴嘴(第二噴嘴)

249c 噴嘴(第三噴嘴)