[發(fā)明專利]襯底處理裝置、半導(dǎo)體器件的制造方法及記錄介質(zhì)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810170974.2
• 申請日: 2018-03-01
• 公開（公告）號: CN108660438B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高木康祐;山腰莉早;堀田英樹;平野敦士
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

1.襯底處理裝置，其具有：

處理室，對襯底進(jìn)行形成包含主元素的膜的處理；

第一噴嘴，其設(shè)于第一噴嘴收容室內(nèi)，對所述處理室內(nèi)的襯底供給包含所述主元素的原料；

第二噴嘴，其設(shè)于配置在與所述第一噴嘴收容室分開規(guī)定距離的位置的第二噴嘴收容室內(nèi)，對所述處理室內(nèi)的襯底供給所述原料；

第三噴嘴，其設(shè)于所述第一噴嘴收容室內(nèi)，配置在接近所述第一噴嘴且與所述第二噴嘴分開規(guī)定距離的位置，對所述處理室內(nèi)的襯底供給反應(yīng)物；

將所述處理室內(nèi)的氣氛排氣的多個排氣口；

供給所述原料的原料供給系統(tǒng)；

供給所述反應(yīng)物的反應(yīng)物供給系統(tǒng)；

將所述處理室內(nèi)的氣氛從所述多個排氣口排氣的排氣系統(tǒng)；和

控制部，其構(gòu)成為控制所述原料供給系統(tǒng)、所述反應(yīng)物供給系統(tǒng)、及所述排氣系統(tǒng)，以使得進(jìn)行將下述循環(huán)進(jìn)行規(guī)定次數(shù)從而在所述襯底上形成包含所述主元素的膜的處理，所述循環(huán)非同時地進(jìn)行下述第一處理和第二處理：經(jīng)由所述第一噴嘴和所述第二噴嘴以使經(jīng)由所述第一噴嘴供給的所述原料與經(jīng)由所述第二噴嘴供給的所述原料在所述襯底的中央部撞擊的方式，對所述處理室內(nèi)的襯底供給所述原料，從所述多個排氣口排氣的第一處理；經(jīng)由所述第三噴嘴對所述處理室內(nèi)的所述襯底供給所述反應(yīng)物，從所述多個排氣口排氣的第二處理，

其中，在俯視下，所述第一噴嘴的第一氣體噴出孔及所述第二噴嘴的第二氣體噴出孔配置在隔著收容在所述處理室內(nèi)的所述襯底的中心而不相對的位置，所述多個排氣口分別設(shè)置于與所述第一氣體噴出孔及所述第二氣體噴出孔不相對的位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，在俯視下，所述多個排氣口分別配置于連結(jié)所述第一氣體噴出孔和所述第二氣體噴出孔的線段的垂直二等分線上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，在俯視下，所述多個排氣口分別以連結(jié)所述第一氣體噴出孔和所述第二氣體噴出孔的線段的垂直二等分線為基準(zhǔn)呈線對稱地配置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，在俯視下，所述多個排氣口的至少一個配置于連結(jié)所述第一氣體噴出孔和所述第二氣體噴出孔的線段的垂直二等分線上，并且所述至少一個以外的其他排氣口以所述垂直二等分線為基準(zhǔn)呈線對稱地配置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其進(jìn)一步具有：

外部反應(yīng)管；和

設(shè)置于所述外部反應(yīng)管內(nèi)、形成所述處理室的內(nèi)部反應(yīng)管，

所述多個排氣口設(shè)置于所述內(nèi)部反應(yīng)管的側(cè)面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理裝置，其中，在所述內(nèi)部反應(yīng)管的頂板面上，設(shè)置有不同于所述多個排氣口的排氣口。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述第一噴嘴的所述第一氣體噴出孔的構(gòu)成與所述第二噴嘴的所述第二氣體噴出孔的構(gòu)成相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述第一噴嘴的所述第一氣體噴出孔的構(gòu)成與所述第二噴嘴的所述第二氣體噴出孔的構(gòu)成不同。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底處理裝置，其中，所述第一氣體噴出孔僅設(shè)置在所述第一噴嘴的上部或下部、而在除此以外的部分上不設(shè)置，或者所述第二氣體噴出孔僅設(shè)置在所述第二噴嘴的上部或下部、而在除此以外的部分上不設(shè)置。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述控制部構(gòu)成為控制所述原料供給系統(tǒng)，以使得在所述第一處理中，同時進(jìn)行經(jīng)由所述第一噴嘴進(jìn)行的所述原料的供給、和經(jīng)由所述第二噴嘴進(jìn)行的所述原料的供給。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述第一噴嘴、所述第二噴嘴及所述第三噴嘴分別設(shè)置在所述襯底的側(cè)方。

12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理裝置，其中，所述第一噴嘴收容室和所述第二噴嘴收容室設(shè)置在所述內(nèi)部反應(yīng)管的側(cè)壁。