[發明專利]基板處理裝置

有效

• 申請號: 201810170355.3
• 申請日: 2018-03-01
• 公開（公告）號: CN108538751B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 川渕洋介;五師源太郎;江頭佳祐;大野廣基;丸本洋;增住拓朗;束野憲人;北山將太郎
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

提供一種基板處理裝置。在利用超臨界狀態的處理流體的干燥方法中，抑制形成于晶圓上表面的圖案破壞。實施方式所涉及的基板處理裝置用于進行干燥處理，該干燥處理為使由于液體而上表面濕潤的狀態的基板與超臨界狀態的處理流體接觸來使基板干燥的處理，該基板處理裝置具備：主體，其在內部形成有能夠收納基板的處理空間；保持部，其在主體的內部保持基板；供給部，其設置于被保持部保持的基板的側方，向處理空間內供給處理流體；排出部，其從處理空間內排出處理流體；以及流路限制部，其限制在使處理流體從供給部流通到排出部時形成的流路的上游側處的下端部。而且，流路限制部的上端部配置于比被保持部保持的基板的上表面高的位置。

技術領域

公開的實施方式涉及一種基板處理裝置。

背景技術

以往以來，已知如下一種方法：在利用液體對作為基板的半導體晶圓(以下稱作晶圓。)等的上表面進行處理之后的干燥工序中，通過使由于液體而上表面濕潤的狀態的晶圓與超臨界狀態的處理流體接觸來使晶圓干燥(例如參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2013-12538號公報

發明內容

發明要解決的問題

然而，在以往的利用超臨界狀態的處理流體的干燥方法中，在處理容器內由處理流體形成的流路是以與晶圓重疊的方式形成的，因此盛放在晶圓上的液體有時被處理流體從晶圓上沖走。由此，導致晶圓上的液體保持不溶解于處理流體的狀態在晶圓上干燥，因此圖案有可能由于在液體干燥時從氣液界面施加的表面張力而發生破壞、所謂的圖案破壞。

實施方式的一個方式是鑒于上述情形而完成的，其目的在于提供一種在利用超臨界狀態的處理流體的基板處理裝置中能夠抑制形成于晶圓上表面的圖案破壞的基板處理裝置。

用于解決問題的方案

實施方式的一個方式所涉及的基板處理裝置進行干燥處理，該干燥處理是使由于液體而上表面濕潤的狀態的基板與超臨界狀態的處理流體接觸來使所述基板干燥的處理，所述基板處理裝置具備：主體，其在內部形成有能夠收納所述基板的處理空間；保持部，其在所述主體的內部保持所述基板；供給部，其配置于被所述保持部保持的所述基板的側方，向所述處理空間內供給所述處理流體；排出部，其從所述處理空間內排出所述處理流體；以及流路限制部，其限制在使所述處理流體從所述供給部流通到所述排出部時形成的流路的上游側處的下端部。而且，所述流路限制部的上端部配置于比被所述保持部保持的所述基板的上表面高的位置。

發明的效果

根據實施方式的一個方式，在利用超臨界狀態的處理流體的基板處理裝置中，能夠抑制形成于晶圓上表面的圖案破壞。

附圖說明

圖1是示出第一實施方式所涉及的基板處理系統的概要結構的示意圖。

圖2是示出第一實施方式所涉及的清洗處理單元的結構的截面圖。

圖3是示出第一實施方式所涉及的干燥處理單元的結構的外觀立體圖。

圖4是示出第一實施方式所涉及的干燥處理單元的內部結構的一例的截面圖。

圖5是示出第一實施方式的變形例1所涉及的干燥處理單元的內部結構的一例的截面圖。

圖6是示出第一實施方式的變形例2所涉及的干燥處理單元的內部結構的一例的截面圖。

圖7是示出第一實施方式的變形例3所涉及的干燥處理單元的內部結構的一例的截面圖。

圖8是示出第二實施方式所涉及的干燥處理單元的內部結構的一例的截面圖。

圖9是示出第二實施方式的變形例所涉及的干燥處理單元的內部結構的一例的截面圖。