[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201810170355.3 | 申請日: | 2018-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN108538751B | 公開(公告)日: | 2023-05-16 |
| 發明(設計)人: | 川渕洋介;五師源太郎;江頭佳祐;大野廣基;丸本洋;增住拓朗;束野憲人;北山將太郎 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,進行干燥處理,該干燥處理為使由于液體而形成有圖案的上表面濕潤的狀態的基板與超臨界狀態的處理流體接觸來使所述基板干燥的處理,所述基板處理裝置具備:
主體,其在內部形成有能夠收納所述基板的處理空間;
保持部,其在所述主體的內部保持所述基板;
供給部,其設置于被所述保持部保持的所述基板的側方,向所述處理空間內供給所述處理流體;
排出部,其從所述處理空間內排出所述處理流體;以及
流路限制部,其限制在使所述處理流體從所述供給部流通到所述排出部時形成的流路的上游側處的下端部,
其中,所述流路限制部的上端部配置于比被所述保持部保持的所述基板的上表面高的位置,
所述流路限制部的上端部配置于比盛放在所述基板上的所述液體的上端低的位置。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述流路限制部為配置在被所述保持部保持的所述基板與所述供給部之間的整流板,所述整流板具有配置于比所述基板的所述上表面高的位置的上端部。
3.根據權利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述整流板設置于所述保持部。
4.根據權利要求2或3所述的基板處理裝置,其特征在于,
在所述流路的下游側設置有其它整流板。
5.根據權利要求1至3中的任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述流路限制部為所述供給部的供給口的下側的部位。
6.一種基板處理裝置,進行干燥處理,該干燥處理為使由于液體而形成有圖案的上表面濕潤的狀態的基板與超臨界狀態的處理流體接觸來使所述基板干燥的處理,所述基板處理裝置具備:
主體,其在內部形成有能夠收納所述基板的處理空間;
保持部,其在所述主體的內部保持所述基板;
供給部,其設置于被所述保持部保持的所述基板的側方,向所述處理空間內供給所述處理流體;以及
排出部,其從所述處理空間內排出所述處理流體,
其中,在使所述處理流體從所述供給部流通到所述排出部時,從所述供給部噴出的所述處理流體的方向朝向被所述保持部保持的所述基板的上方,
所述供給部向比所述保持部保持的所述基板的所述上表面高且比盛放在所述基板上的所述液體的上端低的位置處供給所述處理流體。
7.根據權利要求6所述的基板處理裝置,其特征在于,
從所述供給部噴出的所述處理流體的方向朝向斜上方。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





