[發(fā)明專利]一種硅片清洗液及硅片清洗方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810167905.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-02-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108384667A | 公開(公告)日: | 2018-08-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉長(zhǎng)明;金井升;張昕宇;金浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號(hào): | C11D7/08 | 分類號(hào): | C11D7/08;C11D3/39;B08B3/08;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 羅滿 |
| 地址: | 314416 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅片清洗液 硅片清洗 清洗 光電轉(zhuǎn)換效率 過氧化氫溶液 單質(zhì)金屬 硅片表面 金屬催化 金屬污染 去離子水 低成本 離子化 氫氟酸 硅片 鹽酸 電池 復(fù)合 金屬 申請(qǐng) | ||
本申請(qǐng)公開了一種硅片清洗液及硅片清洗方法,該硅片清洗液包括氫氟酸、鹽酸、過氧化氫溶液和去離子水,該硅片清洗方法包括在25℃至75℃的溫度下,利用上述硅片清洗液對(duì)金屬催化制絨和單質(zhì)金屬離子化之后的硅片進(jìn)行后清洗。利用上述硅片清洗液及硅片清洗方法,能夠在低成本的基礎(chǔ)上更好的清洗掉硅片表面的金屬,降低金屬污染帶來的復(fù)合,提升電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光伏設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,特別設(shè)涉及一種硅片清洗液及硅片清洗方法。
背景技術(shù)
光伏能源作為最重要的新型清潔能源,是21世紀(jì)人類重點(diǎn)發(fā)展和推廣的新能源項(xiàng)目。目前,行業(yè)內(nèi)的一個(gè)重要目標(biāo)是降低生產(chǎn)成本以實(shí)現(xiàn)光伏電能的平價(jià)上網(wǎng),其中,提升光伏產(chǎn)品的效率是降低生產(chǎn)成本的一個(gè)重要途徑。目前的晶體硅電池受技術(shù)的制約,受光面的結(jié)構(gòu)還沒有達(dá)到理想的效果,導(dǎo)致光利用率仍然偏低。目前在行業(yè)的上游硅片端,金剛線切割技術(shù)正在不斷替代常規(guī)的砂漿線切割技術(shù),其主要優(yōu)勢(shì)是可以降低0.3至0.5元/片的切片成本,常規(guī)的HF/HNO3體系無法對(duì)金剛線切割的多晶硅片進(jìn)行有效制絨,要實(shí)現(xiàn)金剛線切割硅片的制絨,目前用的最多的兩類技術(shù)是干法黑硅技術(shù)和濕法黑硅技術(shù),黑硅技術(shù)可以大幅降低表面反射率到5~10%,提升了光利用率及電池效率,而干法黑硅技術(shù)具有較高的成本,因此推廣不及價(jià)格相對(duì)低廉的濕法黑硅技術(shù),濕法黑硅技術(shù)常用的就是MACE(Metal Asist Chemical Etch)技術(shù),顧名思義,就是金屬催化制絨,其通過引入金屬催化劑到硅片表面進(jìn)行制絨,而硅對(duì)金屬離子的敏感度非常高,若不能有效去除這些引入的金屬添加劑,則在硅的表面及內(nèi)部會(huì)形成大量的復(fù)合中心,電池效率也無法做到理想的水平。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題,本發(fā)明提供了一種硅片清洗液及硅片清洗方法,能夠在低成本的基礎(chǔ)上更好的清洗掉硅片表面的金屬,降低金屬污染帶來的復(fù)合,提升電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
本發(fā)明提供的一種硅片清洗液,包括氫氟酸、鹽酸、過氧化氫溶液和去離子水。
優(yōu)選的,在上述硅片清洗液中,所述氫氟酸的體積濃度為5%至30%。
優(yōu)選的,在上述硅片清洗液中,所述鹽酸的體積濃度為5%至35%。
優(yōu)選的,在上述硅片清洗液中,所述過氧化氫溶液的體積濃度為5%至35%。
本發(fā)明提供的一種硅片清洗方法,包括在25℃至75℃的溫度下,利用如上面任一項(xiàng)所述的硅片清洗液對(duì)金屬催化制絨和單質(zhì)金屬離子化之后的硅片進(jìn)行后清洗。
優(yōu)選的,在上述硅片清洗方法中,所述單質(zhì)金屬離子化過程包括將所述硅片置于硝酸溶液中浸泡并作鼓泡處理,持續(xù)5分鐘。
優(yōu)選的,在上述硅片清洗方法中,所述后清洗的溫度為50℃。
通過上述描述可知,本發(fā)明提供的上述硅片清洗液及硅片清洗方法,由于這種硅片清洗液中包括氫氟酸和鹽酸,因此能夠去除離子態(tài)金屬,且由于還包括過氧化氫溶液,因此還能夠去除單質(zhì)態(tài)金屬,從而能夠在低成本的基礎(chǔ)上更好的清洗掉硅片表面的金屬,降低金屬污染帶來的復(fù)合,提升電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
圖1為利用本申請(qǐng)實(shí)施例提供的硅片清洗液進(jìn)行清洗之后的硅片表面放大圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的核心思想在于提供一種硅片清洗液及硅片清洗方法,能夠在低成本的基礎(chǔ)上更好的清洗掉硅片表面的金屬,降低金屬污染帶來的復(fù)合,提升電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司,未經(jīng)浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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