[發(fā)明專利]一種硅片清洗液及硅片清洗方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810167905.6 | 申請日： | 2018-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN108384667A | 公開（公告）日： | 2018-08-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉長明;金井升;張昕宇;金浩 | 申請（專利權）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號： | C11D7/08 | 分類號： | C11D7/08;C11D3/39;B08B3/08;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 羅滿 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅片清洗液 硅片清洗 清洗 光電轉換效率 過氧化氫溶液 單質金屬 硅片表面 金屬催化 金屬污染 去離子水 低成本 離子化 氫氟酸 硅片 鹽酸 電池 復合 金屬 申請 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅片清洗液，其特征在于，包括氫氟酸、鹽酸、過氧化氫溶液和去離子水。
2.根據權利要求1所述的硅片清洗液，其特征在于，所述氫氟酸的體積濃度為5％至30％。
3.根據權利要求2所述的硅片清洗液，其特征在于，所述鹽酸的體積濃度為5％至35％。
4.根據權利要求3所述的硅片清洗液，其特征在于，所述過氧化氫溶液的體積濃度為5％至35％。
5.一種硅片清洗方法，其特征在于，在25℃至75℃的溫度下，利用如權利要求1-4任一項所述的硅片清洗液對金屬催化制絨和單質金屬離子化之后的硅片進行后清洗。
6.根據權利要求5所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述單質金屬離子化過程包括將所述硅片置于硝酸溶液中浸泡并作鼓泡處理，持續(xù)5分鐘。
7.根據權利要求6所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述后清洗的溫度為50℃。
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