[發明專利]使用電壓隔離通路進行擁擠感知緩沖的方法和裝置

在審

• 申請號: 201810166677.0
• 申請日: 2014-03-10
• 公開（公告）號: CN108281411A
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發明（設計）人: S·蘭甘納坦;P·吉普塔;R·達斯哥達;R·威爾馬;P·奈德賽米
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L27/02;H01L29/06;G06F17/50
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 李小芳;袁逸

1.一種半導體裝置，包括：

位于半導體材料表面上的半導體器件布置，其中所述半導體器件布置中的每個半導體器件與第一功率域相關聯；

以網狀圖案在所述半導體材料表面上定義的多個電壓通路，所述網狀圖案將所述半導體器件布置劃分成多個群，其中每個電壓通路包括所述表面上被保留用于放置與第二功率域相關聯的電路的區域，所述第二功率域不同于所述第一功率域；以及

被配置成將所述第二功率域的第一緩沖器電連接到所述第二功率域的第二緩沖器的沉積導電材料網絡，所述第一緩沖器位于所述電壓通路中的第一電壓通路中，而所述第二緩沖器位于所述電壓通路中的第二電壓通路中。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述電路包括一組緩沖器。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中每個電壓通路的位置是在放置所述第二功率域的所述電路期間被預定義的。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一功率域獨立于所述第二功率域。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述沉積導電材料網絡能穿過所述半導體材料表面的任一部分，而所述電路僅位于所述電壓通路中。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述半導體器件布置能位于所述電壓通路的任何未使用區域上。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一電壓通路不同于所述第二電壓通路。

8.一種用于使用電壓隔離在半導體裝置中緩沖信號的方法，包括：

將第一功率域提供給位于所述半導體裝置內的半導體材料表面上的半導體器件布置；

將第二功率域提供給布置成網狀圖案的多個電壓通路，所述電壓通路將所述半導體器件布置劃分成群，并且其中所述第一功率域不同于所述第二功率域；以及

用沉積導電材料網絡將第一緩沖器電連接到第二緩沖器，所述第一緩沖器位于所述電壓通路中的第一電壓通路中，而所述第二緩沖器位于所述電壓通路中的第二電壓通路中。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述第一功率域獨立于所述第二功率域。

10.如權利要求8所述的方法，進一步包括在所述電壓通路中放置所述第二功率域的附加電路，其中所述沉積導電材料網絡能穿過所述半導體材料表面的任一部分，而所述附加電路僅位于所述電壓通路中。

11.如權利要求8所述的方法，其中所述第一電壓通路不同于所述第二電壓通路。

12.一種半導體裝置，包括：

用于將第一功率域提供給位于所述半導體裝置內的半導體材料表面上的半導體器件布置的裝置；

用于將第二功率域提供給布置成網狀圖案的多個電壓通路中的電路的裝置，所述網狀圖案將所述半導體器件劃分成群，其中所述第一功率域不同于所述第二功率域；以及

用于使用沉積導電材料網絡將所述電路中的第一電路電連接到所述電路中的第二電路的裝置，所述第一電路位于所述電壓通路中的第一電壓通路中，而至少所述第二電路位于所述電壓通路中的第二電壓通路中。

13.如權利要求12所述的半導體裝置，其中所述電路包括一組緩沖器。

14.如權利要求12所述的半導體裝置，其中所述第一功率域獨立于所述第二功率域。