[發明專利]碲化鋅的制備方法在審
| 申請號: | 201810166609.4 | 申請日: | 2018-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN108101008A | 公開(公告)日: | 2018-06-01 |
| 發明(設計)人: | 范文濤;朱劉;胡智向;王波 | 申請(專利權)人: | 廣東先導稀材股份有限公司 |
| 主分類號: | C01B19/04 | 分類號: | C01B19/04 |
| 代理公司: | 北京五洲洋和知識產權代理事務所(普通合伙) 11387 | 代理人: | 張向琨;高虹 |
| 地址: | 511517 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 碲化鋅 制備 保護氣體 氣氛爐 申請 高溫高壓 工藝流程 對設備 出爐 鋅粉 碲粉 保溫 合成 生產 | ||
本申請提供一種碲化鋅的制備方法,其包括步驟:S1,將碲粉和鋅粉按一定比例均勻混合后置于氣氛爐中;S2,向氣氛爐中持續通入保護氣體,然后升溫至400℃~700℃,保溫進行反應直至反應結束,降溫后停止通入保護氣體并出爐,得到碲化鋅。本申請的碲化鋅的制備方法無需高溫高壓,在低溫下即可合成,對設備要求低,且所述制備方法工藝流程簡單,產量高,可實現批量生產,同時通過本申請制備方法得到的碲化鋅具有較高的純度。
技術領域
本申請涉及材料制備領域,尤其涉及一種碲化鋅的制備方法。
背景技術
碲化鋅,簡寫為ZnTe,是具有面心立方閃鋅礦結構的II-VI直接帶隙半導體,其晶格常數為6.10埃,室溫禁帶寬度為2.2eV-2.3eV,可以作為半導體材料和紅外材料,有光導和熒光的作用,可應用于LED、電光探測器、太陽能電池、紅外探測等領域。
目前關于碲化鋅合成的主要方法有高溫高壓合成法、干法合成法以及濕法合成法。其中,高溫高壓合成法主要是通過將碲、鋅放入坩堝中,加壓至0.6MPa-3.0MPa,然后在1000℃-1500℃下反應合成碲化鋅;干法合成法是通過將碲和鋅加熱,并保持氫氣氣氛,使碲和鋅升華得到碲化鋅;濕法合成法是通過將碲化鈉和乙酸鋅溶于水后使其在水溶液中反應,生成碲化鋅沉淀物。在上述合成方法中,高溫高壓合成法和干法合成法對設備要求高,危險性大,而濕法合成法的工藝則很難控制,因此得到的碲化鋅質量不穩定。
鑒于此,特提出本申請。
發明內容
鑒于背景技術中存在的問題,本申請的目的在于提供一種碲化鋅的制備方法,所述制備方法工藝流程簡單、產量高、對設備要求低、可實現批量生產,同時通過所述制備方法得到的碲化鋅具有較高的純度。
為了達到上述目的,本申請提供了一種碲化鋅的制備方法,其包括步驟:S1,將碲粉和鋅粉按一定比例均勻混合后置于氣氛爐中;S2,向氣氛爐中持續通入保護氣體,然后升溫至400℃~700℃,保溫進行反應直至反應結束,降溫后停止通入保護氣體并出爐,得到碲化鋅。
相對于現有技術,本申請至少包括如下所述的有益效果:
本申請的碲化鋅的制備方法無需高溫高壓,在低溫下即可合成,對設備要求低,且所述制備方法工藝流程簡單,產量高,可實現批量生產,同時通過本申請制備方法得到的碲化鋅具有較高的純度。
具體實施方式
下面詳細說明根據本申請的碲化鋅的制備方法。
根據本申請的碲化鋅的制備方法包括步驟:S1,將碲粉和鋅粉按一定比例均勻混合后置于氣氛爐中;S2,向氣氛爐中持續通入保護氣體,然后升溫至400℃~700℃,保溫進行反應直至反應結束,降溫后停止通入保護氣體并出爐,得到碲化鋅。
在本申請所述的碲化鋅的制備方法中,制備過程中不需要高溫高壓,在低溫下即可得到較高純度的碲化鋅,同時所述制備方法工藝流程簡單,對設備要求低,簡易的氣氛爐就可以實現低溫合成,因此生產成本低,可實現規?;a。
在本申請所述的碲化鋅的制備方法中,步驟S1中,若碲粉、鋅粉的粒徑過大,容易造成混合不均勻,后續進行反應時易發生偏析,甚至會導致反應不完全,優選地,所述鋅粉的粒徑小于等于250μm,所述碲粉的粒徑小于等于250μm。
在本申請所述的碲化鋅的制備方法中,步驟S1中,所述碲粉和鋅粉的純度沒有具體的限制,優選地,所述碲粉的純度大于等于5N,所述鋅粉的純度大于等于5N。
在本申請所述的碲化鋅的制備方法中,步驟S1中,碲粉和鋅粉的摩爾比為1:1~1:1.04。
在本申請所述的碲化鋅的制備方法中,步驟S1中,將碲粉、鋅粉進行均質處理可以使物料充分混合均勻,有利于后續碲化鋅的合成,優選地,將鋅粉和碲粉置于三維均質機中勻質1h~4h后置于氣氛爐中。
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