[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號： | 201810165948.0 | 申請日： | 2018-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN109216286B | 公開（公告）日： | 2023-09-19 |
| 發明（設計）人： | 甲斐健志;丸山力宏 | 申請（專利權）人： | 富士電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/00 | 分類號： | H01L23/00;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉蘭;王穎 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：
基板，其包括絕緣板和形成在所述絕緣板的正面的多個電路圖案；
多個保護膜，其使用耐腐蝕性優異的材料，使所述多個電路圖案的正面的接合區域露出，并且分別形成在所述多個電路圖案的至少彼此對置的側部以及所述多個電路圖案的正面的沿所述側部與接合區域分離的緣部；以及
多個構成部件，其經由焊料接合到所述多個電路圖案的所述接合區域。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述多個構成部件中的任意一個構成部件橫跨所述多個電路圖案中的相鄰的電路圖案而接合。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述多個構成部件為半導體元件和接觸部件中的至少一個。
4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述多個構成部件為電子部件。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述多個電路圖案由銅或者銅合金構成。
6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述多個保護膜由鎳或者鎳合金構成。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述焊料為無鉛焊料，所述無鉛焊料以由錫-銀-銅構成的合金、由錫-鋅-鉍構成的合金、由錫-銅構成的合金和由錫-銀-銦-鉍構成的合金中的至少任一種合金作為主要成分。
8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，在所述焊料中添加有鎳、鍺、鈷或者硅。
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