[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810165948.0 | 申請日： | 2018-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN109216286B | 公開（公告）日： | 2023-09-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 甲斐健志;丸山力宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 富士電機(jī)株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/00 | 分類號： | H01L23/00;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉蘭;王穎 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：
基板，其包括絕緣板和形成在所述絕緣板的正面的多個電路圖案；
多個保護(hù)膜，其使用耐腐蝕性優(yōu)異的材料，使所述多個電路圖案的正面的接合區(qū)域露出，并且分別形成在所述多個電路圖案的至少彼此對置的側(cè)部以及所述多個電路圖案的正面的沿所述側(cè)部與接合區(qū)域分離的緣部；以及
多個構(gòu)成部件，其經(jīng)由焊料接合到所述多個電路圖案的所述接合區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述多個構(gòu)成部件中的任意一個構(gòu)成部件橫跨所述多個電路圖案中的相鄰的電路圖案而接合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述多個構(gòu)成部件為半導(dǎo)體元件和接觸部件中的至少一個。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述多個構(gòu)成部件為電子部件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述多個電路圖案由銅或者銅合金構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述多個保護(hù)膜由鎳或者鎳合金構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述焊料為無鉛焊料，所述無鉛焊料以由錫-銀-銅構(gòu)成的合金、由錫-鋅-鉍構(gòu)成的合金、由錫-銅構(gòu)成的合金和由錫-銀-銦-鉍構(gòu)成的合金中的至少任一種合金作為主要成分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述焊料中添加有鎳、鍺、鈷或者硅。
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