[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201810165948.0
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號: CN109216286B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發明（設計）人: 甲斐健志;丸山力宏
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/498
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 金玉蘭;王穎

本發明提供一種半導體裝置，其能夠抑制構成部件相對于電路圖案的接合強度的下降。在半導體裝置(10)中，電路圖案(12b、12e、12h)在彼此對置的側面分別形成有保護膜(12b2、12e1、12e4、12h2)，不對形成了這些保護膜(12b2、12e1、12e4、12h2)的側面以外的面進行電鍍處理等。因此，如果將半導體元件(15a、15b、15d)和接觸部件(16b、16f)直接經由焊料(18h、18i、18l、18b、18f)接合到電路圖案(12b、12e、12h)，則抑制焊料(18h、18i、18l、18b、18f)相對于多個電路圖案(12b、12e、12h)的潤濕性的下降。

技術領域

本發明涉及半導體裝置。

背景技術

半導體裝置包括例如IGBT(Insulted?Gate?Bipolar?Transistor：絕緣柵雙極型晶體管)，功率MOSFET(Metal?Oxide?Semiconductor?Field?Effect?Transistor：金屬氧化物半導體場效應晶體管)等半導體元件。上述半導體裝置例如可以作為電力轉換裝置使用。

半導體裝置具備具有絕緣板和形成在絕緣板的正面的多個電路圖案的基板。另外，在電路圖案上配置有半導體元件和外部連接端子，從外部連接端子施加的信號經由電路圖案被輸入到半導體元件。

在將該外部連接端子安裝在電路圖案時，使用筒狀的接觸部件。外部連接端子被壓入到經由焊料接合到電路圖案上的接觸部件，經由接觸部件與電路圖案電連接(例如，參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：美國專利申請公開第2009/0194884號說明書

發明內容

技術問題

但是，在上述半導體裝置中，在電路圖案的表面利用鎳等進行電鍍處理。由此，抑制來自于電路圖案的腐蝕物質的生成，并且防止因該腐蝕物質的生成而引起的電路圖案間的短路。

但是，實施了上述電鍍處理的電路圖案相對于焊料的潤濕性下降，另外，難以從焊料內去除孔隙。因此，若將筒狀的接觸部件、半導體元件等構成部件經由焊料接合到實施了上述電鍍處理的電路圖案，則無法得到構成部件相對于電路圖案的足夠的接合強度。

本發明鑒于上述問題，其目的在于提供能夠抑制構成部件相對于電路圖案的接合強度的下降的半導體裝置。

技術方案

根據本發明的一個方面，提供一種半導體裝置，該半導體裝置具有：包含絕緣板和形成在所述絕緣板的正面的多個電路圖案的基板；露出所述多個電路圖案的正面的接合區域，并且至少分別形成在所述多個電路圖案的彼此對置的側部的多個保護膜；經由焊料接合到所述多個電路圖案的所述接合區域的多個構成部件。

發明效果

根據公開的技術，能夠抑制構成部件相對于電路圖案的接合強度的下降，能夠防止半導體裝置的可靠性的下降。

附圖說明

圖1是第1實施方式的半導體裝置的俯視圖。

圖2是第1實施方式的半導體裝置的截面圖。

圖3是第1實施方式的半導體裝置的俯視圖(構成部件未計入時)。

圖4是說明第1實施方式的變形例的半導體裝置的基板的電路圖案的圖。

圖5是第2實施方式的半導體裝置的主要部分俯視圖。

圖6是第2實施方式的半導體裝置的主要部分截面圖。

圖7是第3實施方式的半導體裝置的主要部分俯視圖。