[發明專利]處理方法和等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201810165922.6
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號: CN108511339B
• 公開（公告）日: 2022-12-13
• 發明（設計）人: 中谷理子;本田昌伸
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明的目的在于提供一種使有機膜各向異性地堆積于被處理體上所形成的凹部的圖案的上部的處理方法和等離子體處理裝置。所述處理方法具有：第一工序，向腔室的內部供給包含含碳氣體和非活性氣體的第一氣體；第二工序，施加等離子體生成用的高頻電力，由供給來的所述第一氣體生成等離子體，使包含有機物的化合物堆積于被處理體上所形成的規定膜的圖案上，其中，所述第一氣體中的、所述含碳氣體相對于所述非活性氣體的比率為1％以下。

技術領域

本發明涉及一種處理方法和等離子體處理裝置。

背景技術

近年來，在半導體制造中，器件的尺寸變得微細化，形成于被處理體的孔、線和空間(LS：Line and Space)的槽部的高寬比(以下稱作“A/R比”(Aspect Ratio))變高。因此提出了在形成具有高的A/R比的凹部的蝕刻中垂直地形成掩模之下的蝕刻對象膜(例如參照專利文獻1～3)。

專利文獻1：日本特表2006-514783號公報

專利文獻2：日本特表2015-530742號公報

專利文獻3：日本特開2013-219099號公報

發明內容

發明要解決的問題

然而，在上述蝕刻中，需要提高掩模的選擇比。因此，進行在蝕刻工序的期間執行使有機膜堆積于掩膜的上部的工序。然而，此時，由于等離子體中的離子、自由基的分布，有機膜堆積于掩模的開口部附近，使得開口部堵塞，無法進行蝕刻。

針對上述問題，在一個方面中，本發明的目的在于使有機膜各向異性地堆積于形成于被處理體的凹部的圖案的上部。

用于解決問題的方案

為了解決上述問題，根據一個方式，提供一種處理方法，包括以下工序：第一工序，向腔室的內部供給包含含碳氣體和非活性氣體的第一氣體；以及第二工序，施加等離子體生成用的高頻電力，從供給的所述第一氣體生成等離子體，使包含有機物的化合物堆積于被處理體上所形成的規定膜的圖案上，其中，所述第一氣體中的所述含碳氣體相對于所述非活性氣體的比率為1％以下。

發明的效果

根據一個方面，能夠使有機膜各向異性地堆積于形成于被處理體的凹部的圖案的上部。

附圖說明

圖1是表示一個實施方式所涉及的等離子體處理裝置的一例的圖。

圖2是用于說明一個實施方式所涉及的掩模的開口的堵塞的圖。

圖3是用于說明一個實施方式所涉及的被處理體的樣本的一例的圖。

圖4是用于說明一個實施方式所涉及的堆積物的測定部位的定義的圖。

圖5是表示一個實施方式所涉及的堆積工序中的氣體的稀釋化的實驗結果的一例的圖。

圖6是表示圖5的實驗結果的曲線圖。

圖7是表示一個實施方式所涉及的堆積工序中的氣體的稀釋化的實驗結果的一例的圖。

圖8是表示一個實施方式所涉及的堆積工序中的溫度依賴的實驗結果的一例的圖。

圖9是表示一個實施方式所涉及的堆積工序中的壓力依賴的實驗結果的一例的圖。

圖10是表示一個實施方式所涉及的堆積工序中的稀釋氣體依賴的實驗結果的一例的圖。

圖11是表示一個實施方式所涉及的堆積工序中的LF依賴的實驗結果的一例的圖。