[發(fā)明專利]處理方法和等離子體處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810165922.6
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號: CN108511339B
• 公開（公告）日: 2022-12-13
• 發(fā)明（設計）人: 中谷理子;本田昌伸
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種處理方法，其用于對表面形成有規(guī)定膜的圖案的被處理體進行處理，所述處理方法包括以下工序：

第一工序，向腔室的內部供給包含含碳氣體和非活性氣體的第一氣體；以及

第二工序，施加等離子體生成用的高頻電力，從供給的所述第一氣體生成等離子體，使包含有機物的化合物堆積于被處理體上所形成的所述規(guī)定膜的圖案上、而不堆積于由所述圖案形成的凹部的底面，

其中，所述第一氣體中的所述含碳氣體相對于所述非活性氣體的比率為1%以下，

在所述第二工序中，使包含有機物的化合物以在所述規(guī)定膜的圖案的上表面堆積的厚度比在該規(guī)定膜的圖案的側面堆積的厚度厚的方式堆積于所述規(guī)定膜的圖案上。

2.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，還包括以下工序：

第三工序，向所述腔室的內部供給包含碳氟氣體的第二氣體；以及

第四工序，從供給的所述第二氣體生成等離子體，對所述規(guī)定膜之下的膜進行蝕刻。

3.根據權利要求2所述的處理方法，其特征在于，

將所述第二工序和所述第四工序重復進行規(guī)定次數。

4.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，

所述含碳氣體為碳氟氣體、碳氫氣體、氫氟烴氣體、醇中的任一種。

5.根據權利要求4所述的處理方法，其特征在于，

所述含碳氣體為C₄F₆、C₅F₈、C₄F₈、IPA即C₃H₈O中的任一種。

6.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，

所述非活性氣體為Ar。

7.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，

向配置于所述腔室的頂部的上部電極施加等離子體生成用的高頻電力。

8.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，

不對所述腔室施加偏置吸引用的高頻電力。

9.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，

所述處理方法由電感耦合型等離子體處理裝置、向上部電極側施加等離子體生成用的高頻電力的電容耦合型等離子體處理裝置、微波等離子體處理裝置和遠程等離子體裝置中的任一種來執(zhí)行。

10.一種等離子體處理裝置，其用于對表面形成有規(guī)定膜的圖案的被處理體進行處理，所述處理裝置具有載置被處理體的臺、供給氣體的氣體供給部以及控制部，

其中，所述控制部進行控制使得進行以下處理：

第一處理，向腔室的內部供給包含含碳氣體和非活性氣體的第一氣體，以及

第二處理，施加等離子體生成用的高頻電力，從供給的所述第一氣體生成等離子體，使包含有機物的化合物堆積于被處理體上所形成的所述規(guī)定膜的圖案上、而不堆積于由所述圖案形成的凹部的底面，

其中，使所述第一氣體中的所述含碳氣體相對于所述非活性氣體的比率為1%以下，

在所述第二處理中，使包含有機物的化合物以在所述規(guī)定膜的圖案的上表面堆積的厚度比在該規(guī)定膜的圖案的側面堆積的厚度厚的方式堆積于所述規(guī)定膜的圖案上。