[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201810165539.0
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號: CN109755205B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 倉谷英敏;服部聰;田靡京
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 房永峰

1.一種半導體裝置，具備：

半導體芯片；

第1導電構件，包括第1部分、第2部分以及第1中間部分，上述第2部分與上述半導體芯片電連接，從上述半導體芯片朝向上述第2部分的方向沿著第1方向，從上述第2部分朝向上述第1部分的方向沿著與上述第1方向交叉的第2方向，上述第2方向上的上述第1中間部分的位置位于上述第2方向上的上述第2部分的位置與上述第2方向上的上述第1部分的位置之間，上述第1方向上的上述第1部分的位置位于上述第1方向上的第1連接構件的位置與上述第1方向上的上述第1中間部分的位置之間；

第2導電構件，包括第3部分；

導電性的上述第1連接構件，包含軟釬料，上述第1連接構件的一部分設置于上述第1部分與上述第3部分之間；以及

樹脂部，包括設置于上述第1部分、上述第3部分以及上述第1連接構件的周圍的第1部分區域，

上述第1部分具有與上述第1連接構件對置的第1面，

上述第1面包括凹部以及凸部，

上述凹部具有第1底部、第1距離以及第2距離，

上述第1底部的至少一部分相對上述第1方向垂直，并沿著垂直于上述第一方向的平面，

上述第1距離是上述凹部與上述第2部分之間的沿著上述第2方向的距離，上述第1距離比上述凸部與上述第2部分之間的沿著上述第2方向的距離長，

上述第2距離是上述凹部與上述第3部分之間的沿著上述第1方向的距離，上述第2距離在從上述第2部分向上述第1部分的朝向上增大，

上述第1部分的上述第1中間部分側的端部曲線彎曲，

上述第1連接構件的另一部分配置在上述第1部分的上述端部，

上述凹部與曲線彎曲的上述端部分開設置，

上述第1連接構件的上述一部分配置在上述第1底部與上述第3部分之間。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述凹部從上述第1部分的兩端部向內側離開地設置。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述凸部設置有多個，上述凹部位于上述多個凸部之間。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述凹部的深度超過10μm。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其中，

上述凹部的深度為60μm以下。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述半導體裝置還具備導電性的第2連接構件，上述第2連接構件包含軟釬料，

上述第2連接構件位于上述半導體芯片與上述第2部分之間，電連接上述半導體芯片與上述第2部分，

上述樹脂部還包括設置于上述第2部分以及上述第2連接構件的周圍的第2部分區域。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，還具備：

第3導電構件，包括第5部分；以及

導電性的第3連接構件，包含軟釬料，設置于上述第5部分與上述半導體芯片之間，

上述樹脂部還包括設置于上述第5部分以及上述第3連接構件的周圍的第3部分區域。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其中，

上述第3導電構件還包括第6部分，

上述第6部分的至少一部分沒有被上述樹脂部覆蓋。

9.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述第1連接構件包括顆粒，上述顆粒的尺寸為超過10μm且20μm以下。

10.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述樹脂部包括多個填料，上述多個填料的上述樹脂部中的濃度為76重量％以上且84重量％以下。