[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810165539.0 | 申請日： | 2018-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN109755205B | 公開（公告）日： | 2023-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 倉谷英敏;服部聰;田靡京 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
半導(dǎo)體裝置包括：半導(dǎo)體芯片、有第1部分及與半導(dǎo)體芯片電連接的第2部分的第1導(dǎo)電構(gòu)件、有第3部分的第2導(dǎo)電構(gòu)件、設(shè)于第1部分與第3部分之間的導(dǎo)電性的第1連接構(gòu)件及有設(shè)于第1部分、第3部分及第1連接構(gòu)件的周圍的第1部分區(qū)域的樹脂部。從第2部分向第1部分的方向沿與從半導(dǎo)體芯片向第2部分的方向即第1方向交叉的第2方向。第1部分有與第1連接構(gòu)件對置并包括凹部及凸部的第1面。凹部有第1底部、第1距離及第2距離的至少任一個。第1底部的至少一部分相對第1方向垂直。凹部與第2部分之間的距離即第1距離比凸部與第2部分之間的距離長。凹部與第3部分之間的沿著第1方向的距離即第2距離在從第2部分向第1部分的朝向增大。
關(guān)聯(lián)申請
本申請享受以日本專利申請2017－215465號(申請日：2017年11月8日)為基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該基礎(chǔ)申請而包含基礎(chǔ)申請的全部的內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實施方式一般涉及半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)
具有用樹脂密封半導(dǎo)體芯片而成的半導(dǎo)體裝置。在半導(dǎo)體裝置中，希望抑制特性的變動。
發(fā)明內(nèi)容
實施方式提供一種能夠抑制特性的變動的半導(dǎo)體裝置。
實施方式的半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體芯片、第1導(dǎo)電構(gòu)件、第2導(dǎo)電構(gòu)件、第1連接構(gòu)件以及樹脂部。上述第1導(dǎo)電構(gòu)件包括第1部分以及第2部分。上述第2部分與上述半導(dǎo)體芯片電連接。從上述半導(dǎo)體芯片朝向上述第2部分的方向沿著第1方向。從上述第2部分朝向上述第1部分的方向沿著與上述第1方向交叉的第2方向。上述第2導(dǎo)電構(gòu)件包括第3部分。上述第1連接構(gòu)件設(shè)置于上述第1部分與上述第3部分之間，為導(dǎo)電性。上述樹脂部包括設(shè)置于上述第1部分、上述第3部分以及上述第1連接構(gòu)件的周圍的第1部分區(qū)域。上述第1部分具有與上述第1連接構(gòu)件對置的第1面。上述第1面包括凹部以及凸部。上述凹部具有第1底部、第1距離以及第2距離的至少任一個。上述第1底部的至少一部分相對上述第1方向垂直。上述第1距離是上述凹部與上述第2部分之間的距離，上述第1距離比上述凸部與上述第2部分之間的距離長。上述第2距離是上述凹部與上述第3部分之間的沿著上述第1方向的距離，上述第2距離在從上述第2部分向上述第1部分的朝向上增大。
另一實施方式的半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體芯片、第1導(dǎo)電構(gòu)件、第2導(dǎo)電構(gòu)件、第1連接構(gòu)件以及樹脂部。上述第1導(dǎo)電構(gòu)件包括第1部分以及第2部分。上述第2部分與上述半導(dǎo)體芯片電連接。從上述半導(dǎo)體芯片朝向上述第2部分的方向沿著第1方向。從上述第2部分朝向上述第1部分的方向沿著與上述第1方向交叉的第2方向。上述第2導(dǎo)電構(gòu)件包括第3部分以及第4構(gòu)件。上述第1連接構(gòu)件設(shè)置于上述第1部分與上述第3部分之間，為導(dǎo)電性。上述樹脂部包括設(shè)置于上述第1部分、上述第3部分以及上述第1連接構(gòu)件的周圍的第1部分區(qū)域。上述第4部分的至少一部分沒有被上述樹脂部覆蓋。從上述第3部分朝向上述第4部分的方向沿著與上述第1方向交叉的第3方向。上述第3部分具有與上述第1連接構(gòu)件對置的第2面。上述第2面包括凹部以及凸部。上述凹部具有第2底部、第3距離以及第4距離的至少任一個。上述第2底部的至少一部分相對上述第1方向垂直。上述第3距離是上述凹部與上述第4部分之間的距離，上述第3距離比上述凸部與上述第4部分之間的距離長。上述第4距離是上述凹部與上述第1部分之間的沿著上述第1方向的距離，上述第4距離在從上述第4部分向上述第3部分的朝向上增大。
附圖說明
圖1(a)～圖1(c)是例示第1實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的示意圖。
圖2是例示第1實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的示意圖。
圖3是例示與半導(dǎo)體裝置有關(guān)的實驗結(jié)果的曲線圖。
圖4(a)以及圖4(b)是例示半導(dǎo)體裝置的截面顯微鏡照片圖像。
圖5是例示第1實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的示意的剖視圖。
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