[發(fā)明專利]薄膜晶體管、陣列基板、顯示面板及其制備方法、終端

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810164121.8
• 申請(qǐng)日: 2018-02-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108365013B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 虞曉江
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括基板、位于所述基板上的有源層和柵極以及設(shè)于所述柵極和所述有源層之間的柵極絕緣層，所述有源層朝向所述柵極的表面包括第一區(qū)域和朝向所述柵極凸出所述第一區(qū)域的第二區(qū)域，所述柵極的周緣設(shè)有朝向所述有源層突出的尖角部，所述尖角部對(duì)應(yīng)于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的連接處。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述基板包括襯底基板和位于所述襯底基板上的遮光層，所述遮光層與所述第二區(qū)域相對(duì)應(yīng)。

3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極絕緣層背離所述有源層的表面包括第三區(qū)域和朝向所述柵極凸出所述第三區(qū)域的第四區(qū)域，所述第四區(qū)域與所述第二區(qū)域相對(duì)應(yīng)，所述第三區(qū)域與所述第一區(qū)域相對(duì)應(yīng)。

4.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述基板包括覆蓋所述襯底基板和所述遮光層的緩沖絕緣層，所述緩沖絕緣層背離所述遮光層的表面包括第五區(qū)域和背離所述遮光層凸出所述第五區(qū)域的第六區(qū)域，所述第六區(qū)域與所述遮光層相對(duì)應(yīng)。

5.如權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極絕緣層的厚度在100nm以下。

6.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括如權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。

7.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如權(quán)利要求6所述的陣列基板。

8.一種終端，其特征在于，所述終端包括如權(quán)利要求7所述的顯示面板。

9.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成有源層，其中，所述有源層背離所述基板的表面包括第一區(qū)域和背離所述基板凸出所述第一區(qū)域的第二區(qū)域；

在所述有源層上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成柵極，其中，所述柵極的周緣設(shè)有朝向所述有源層突出的尖角部，所述尖角部對(duì)應(yīng)于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的連接處。