[發明專利]半導體封裝結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201810163669.0
• 申請日: 2018-02-27
• 公開（公告）號: CN109216214B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 譚瑞敏;王金勝;曾子章;黃重旗;唐偉森;范智朋
• 申請（專利權）人: 欣興電子股份有限公司;旭德科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 吳志紅;臧建明

1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：

基底，包括：

導熱絕緣層，具有彼此相對的第一表面以及第二表面；

圖案化線路層，配置于所述導熱絕緣層上且暴露出所述導熱絕緣層的部分所述第一表面；以及

金屬層，配置于所述導熱絕緣層上且完全覆蓋所述導熱絕緣層的所述第二表面，其中所述導熱絕緣層的正投影與所述金屬層的正投影完全重疊；

至少一電子元件，配置于所述基底上且與所述圖案化線路層電連接；

封裝膠體，至少包覆所述至少一電子元件；以及

重布線路層，配置于所述封裝膠體上且與所述至少一電子元件電連接，其中所述封裝膠體的邊緣約略切齊于所述基底的邊緣。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，還包括：

至少一導電通孔，貫穿所述封裝膠體，其中所述重布線路層通過所述至少一導電通孔而與所述基底的所述圖案化線路層電連接。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，還包括：

黏著層，配置于所述基底上，其中所述至少一電子元件通過所述黏著層而固定于所述基底上。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，還包括：

第一防焊層，配置于所述基底的所述金屬層上，其中所述第一防焊層具有至少一第一開口，所述至少一第一開口暴露出部分所述金屬層，而定義出至少一第一接墊；以及

第二防焊層，配置于所述封裝膠體上且覆蓋所述重布線路層，其中所述第二防焊層具有至少一第二開口，所述至少一第二開口暴露出部分所述重布線路層，而定義出至少一第二接墊。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝結構，還包括：

第三防焊層，配置于所述基底的所述導熱絕緣層上，且位于所述封裝膠體與所述導熱絕緣層之間，所述第三防焊層覆蓋所述圖案化線路層，其中所述第三防焊層具有至少一第三開口，所述至少一第三開口暴露出部分所述圖案化線路層，而定義出至少一第三接墊，而所述至少一電子元件位于所述至少一第三接墊上。

6.根據權利要求4所述的半導體封裝結構，還包括：

至少一散熱元件，配置于所述第一接墊上。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中所述至少一電子元件包括多個電子元件，所述多個電子元件彼此串聯、并聯、電性獨立或上述的組合。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中所述至少一電子元件包括主動元件與被動元件。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中所述重布線路層包括：

重布線路，配置于所述封裝膠體上；以及

多個導電盲孔，位于所述封裝膠體內且連接所述至少一電子元件以及所述重布線路。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中所述導熱絕緣層的導熱系數介于1W/(mK)至100W/(mK)之間。

11.一種半導體封裝結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括：

導熱絕緣層，具有彼此相對的第一表面以及第二表面；

圖案化線路層，配置于所述導熱絕緣層上且暴露出所述導熱絕緣層的部分所述第一表面；

金屬層，配置于所述導熱絕緣層上且完全覆蓋所述導熱絕緣層的所述第二表面，其中所述導熱絕緣層的正投影與所述金屬層的正投影完全重疊；

配置至少一電子元件于所述基底上，其中所述至少一電子元件與所述圖案化線路層電連接；

形成封裝膠體以至少包覆所述至少一電子元件；以及

形成重布線路層于所述封裝膠體上，其中所述重布線路層與所述至少一電子元件電連接，且所述封裝膠體的邊緣約略切齊于所述基底的邊緣。