[發明專利]陣列基板、顯示面板以及陣列基板的制作方法在審
| 申請號: | 201810163135.8 | 申請日: | 2018-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN108333845A | 公開(公告)日: | 2018-07-27 |
| 發明(設計)人: | 陳辰 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素電極層 基板 薄膜晶體管 陣列基板 平坦層 通孔 顯示面板 光阻層 覆蓋 高度差距 漏極接觸 漏極 填充 制作 | ||
本發明提供一種陣列基板,用于形成顯示面板,包括基板,設于所述基板上的薄膜晶體管以及設于所述基板和所述薄膜晶體管上的平坦層,所述平坦層中設有露出所述薄膜晶體管的漏極的第一通孔,所述平坦層遠離所述基板的表面上設有像素電極層,所述像素電極層覆蓋所述第一通孔并與所述漏極接觸,所述像素電極層上覆蓋有光阻層,且所述光阻層填充覆蓋有所述像素電極層的所述第一通孔。本發明解決了由于產品高度差距所導致的不良。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別涉及一種陣列基板、顯示面板以及陣列基板的制作方法。
背景技術
在顯示屏制造中,由于低溫多晶硅技術制造的產品成本較低、器件電子遷移率高等特點,低溫多晶硅技術越來越受到手機、平板屏幕等制造商的青睞。但是,由于使用低溫多晶硅技術技術所需的膜層較多,膜層結構復雜,導致薄膜晶體管陣列面板在經過數次膜層累加后,產品高度差距明顯,在后續的成盒制程中對液晶的配向易造成較大影響,進而造成產品的不良。
發明內容
本發明的目的在于提供一種陣列基板、顯示面板以及陣列基板的制作方法,以解決由于產品高度差距所導致的不良。
本發明提供一種陣列基板,用于形成顯示面板,包括基板,設于所述基板上的薄膜晶體管以及設于所述基板和所述薄膜晶體管上的平坦層,所述平坦層中設有露出所述薄膜晶體管的漏極的第一通孔,所述平坦層遠離所述基板的表面上設有像素電極層,所述像素電極層覆蓋所述第一通孔并與所述漏極接觸,所述像素電極層上覆蓋有光阻層,且所述光阻層填充覆蓋有所述像素電極層的所述第一通孔。
其中,所述光阻層上設有光阻柱,所述光阻柱用于支撐所述顯示面板。
其中,所述基板上設有遮光層,所述遮光層上設有覆蓋所述遮光層的緩沖層,所述緩沖層上設有多晶硅層,所述多晶硅層上覆蓋有介電絕緣層,所述介電絕緣層中形成有兩個間隔設置的且露出所述多晶硅層部分表面的第二通孔與第三通孔,所述薄膜晶體管的所述漏極與源極設于所述介電絕緣層上,且所述漏極通過所述第二通孔與所述多晶硅層接觸,所述源極通過所述第三通孔與所述多晶硅層接觸,所述平坦層設于所述漏極、所述源極以及所述介電絕緣層上。
其中,所述介電絕緣層包括絕緣層以及層疊于所述絕緣層上的介電層,所述薄膜晶體管的柵極設于所述絕緣層上,所述介電層覆蓋所述柵極。
其中,所述平坦層上設有公共電極層,所述公共電極層上設有鈍化層,所述鈍化層覆蓋所述公共電極層以及所述第一通孔的側壁;所述鈍化層上設有所述像素電極層,所述像素電極層覆蓋所述鈍化層,且所述像素電極層通過所述第一通孔與所述漏極接觸。
本發明提供一種顯示面板,包括上述的陣列基板。
本發明提供一種陣列基板的制作方法,包括:
提供一基板;
在所述基板上形成薄膜晶體管;
在所述基板和所述薄膜晶體管上形成平坦層;
在所述平坦層中形成露出所述薄膜晶體管的漏極的第一通孔;
在所述平坦層遠離所述基板的表面上形成像素電極層,其中,所述像素電極層覆蓋所述第一通孔并與所述漏極接觸;
在所述像素電極層上形成覆蓋所述像素電極層的光阻層,其中,所述光阻層填充覆蓋有所述像素電極層的所述第一通孔。
其中,在所述基板上形成薄膜晶體管的步驟還包括:
在所述基板上形成遮光層;
在所述遮光層上形成覆蓋所述遮光層的緩沖層;
在所述緩沖層上形成多晶硅層;
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