[發明專利]陣列基板、顯示面板以及陣列基板的制作方法

在審

• 申請號: 201810163135.8
• 申請日: 2018-02-26
• 公開（公告）號: CN108333845A
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發明（設計）人: 陳辰
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種陣列基板，用于形成顯示面板，其特征在于，包括基板，設于所述基板上的薄膜晶體管以及設于所述基板和所述薄膜晶體管上的平坦層，所述平坦層中設有露出所述薄膜晶體管的漏極的第一通孔，所述平坦層遠離所述基板的表面上設有像素電極層，所述像素電極層覆蓋所述第一通孔并與所述漏極接觸，所述像素電極層上覆蓋有光阻層，且所述光阻層填充覆蓋有所述像素電極層的所述第一通孔。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述光阻層上設有光阻柱，所述光阻柱用于支撐所述顯示面板。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述基板上設有遮光層，所述遮光層上設有覆蓋所述遮光層的緩沖層，所述緩沖層上設有多晶硅層，所述多晶硅層上覆蓋有介電絕緣層，所述介電絕緣層中形成有兩個間隔設置的且露出所述多晶硅層部分表面的第二通孔與第三通孔，所述薄膜晶體管的所述漏極與源極設于所述介電絕緣層上，且所述漏極通過所述第二通孔與所述多晶硅層接觸，所述源極通過所述第三通孔與所述多晶硅層接觸，所述平坦層設于所述漏極、所述源極以及所述介電絕緣層上。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述介電絕緣層包括絕緣層以及層疊于所述絕緣層上的介電層，所述薄膜晶體管的柵極設于所述絕緣層上，所述介電層覆蓋所述柵極。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述平坦層上設有公共電極層，所述公共電極層上設有鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述公共電極層以及所述第一通孔的側壁；所述鈍化層上設有所述像素電極層，所述像素電極層覆蓋所述鈍化層，且所述像素電極層通過所述第一通孔與所述漏極接觸。

6.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1-5任一項所述的陣列基板。

7.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成薄膜晶體管；

在所述基板和所述薄膜晶體管上形成平坦層；

在所述平坦層中形成露出所述薄膜晶體管的漏極的第一通孔；

在所述平坦層遠離所述基板的表面上形成像素電極層，其中，所述像素電極層覆蓋所述第一通孔并與所述漏極接觸；

在所述像素電極層上形成覆蓋所述像素電極層的光阻層，其中，所述光阻層填充覆蓋有所述像素電極層的所述第一通孔。

8.根據權利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成薄膜晶體管的步驟還包括：

在所述基板上形成遮光層；

在所述遮光層上形成覆蓋所述遮光層的緩沖層；

在所述緩沖層上形成多晶硅層；

在所述多晶硅層上形成覆蓋所述多晶硅層的介電絕緣層，在所述介電絕緣層中形成兩個間隔設置的且露出所述多晶硅層部分表面的第二通孔與第三通孔；

在所述介電絕緣層上形成源極與漏極，其中，所述漏極通過所述第二通孔與所述多晶硅層接觸，所述源極通過所述第三通孔與所述多晶硅層接觸。

9.根據權利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述平坦層遠離所述基板的表面上形成像素電極層的步驟包括：

在所述平坦層上形成公共電極層；

在所述公共電極層上形成覆蓋所述公共電極層以及所述第一通孔側壁的鈍化層；

在所述鈍化層上形成覆蓋所述鈍化層的像素電極層，其中，所述像素電極層通過所述第一通孔與所述漏極連接。

10.根據權利要求9所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述像素電極層上形成覆蓋所述像素電極層的光阻層的步驟之后還包括：在所述光阻層上形成光阻柱。