[發(fā)明專利]一種提高M(jìn)PCVD制備單晶金剛石穩(wěn)定性的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810163115.0 | 申請日： | 2018-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN108360064B | 公開（公告）日： | 2020-12-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 武迪;陳貞君;鄭大平;朱瑞;肖景陽 | 申請（專利權(quán)）人： | 湖北碳六科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/04 | 分類號： | C30B29/04;C30B25/20;C30B30/00 |
| 代理公司： | 北京金智普華知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11401 | 代理人： | 楊采良 |
| 地址： | 443400 湖北省宜*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 mpcvd 制備 金剛石 穩(wěn)定性 方法 | ||
1.一種提高M(jìn)PCVD制備單晶金剛石穩(wěn)定性的方法，采用MPCVD制備單晶金剛石，所述MPCVD包括微波輸出系統(tǒng)、波導(dǎo)管、石英玻璃、反應(yīng)腔室、真空抽氣系統(tǒng)和尾氣處理系統(tǒng)，所述反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)有水冷基片臺和耐高溫金屬樣品臺，單晶金剛石籽晶位于所述耐高溫金屬樣品臺上，其特征在于：在所述耐高溫金屬樣品臺上放置單晶金剛石籽晶的位置開一個略小于單晶金剛石長寬尺寸的小槽，滴入適量的液態(tài)金屬直至鋪滿小槽，將單晶金剛石籽晶放置在小槽上蓋住液態(tài)金屬，確保單晶金剛石籽晶與液態(tài)金屬接觸面積至少大于單晶金剛石籽晶的1/2；保證所述單晶金剛石籽晶正面沒有被從小槽內(nèi)溢出的液態(tài)金屬遮擋；往反應(yīng)腔室內(nèi)通入一定流量的氫氣和含碳?xì)庠?，在一定的工作氣壓條件下，使用微波將含碳?xì)庠措婋x為含碳活性基團(tuán)，在單晶金剛石籽晶表面實(shí)現(xiàn)同質(zhì)外延生長。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高M(jìn)PCVD制備單晶金剛石穩(wěn)定性的方法，其特征在于：先在耐高溫金屬樣品臺上放置單晶金剛石籽晶的位置開一個略大于單晶金剛石籽晶長寬尺寸的大槽，再在大槽底部中心開所述小槽；大槽的槽深小于單晶金剛石籽晶的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種提高M(jìn)PCVD制備單晶金剛石穩(wěn)定性的方法，其特征在于：所述小槽為對稱圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種提高M(jìn)PCVD制備單晶金剛石穩(wěn)定性的方法，其特征在于：所述液態(tài)金屬在室溫20℃到單晶金剛石沉積溫度上限1500℃這個區(qū)間范圍內(nèi)保持液態(tài)。
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