[發(fā)明專利]柔性基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810162327.7 | 申請日: | 2018-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN108305880B | 公開(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王偉;詹志鋒;石佳凡 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柔性 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括顯示基板,其特征在于,所述顯示基板采用柔性基板沿其待彎折區(qū)進(jìn)行彎折后得到,所述柔性基板被劃分為:顯示區(qū)、位于該顯示區(qū)一側(cè)的綁定區(qū)、位于所述顯示區(qū)與所述綁定區(qū)之間的待彎折區(qū)、分別位于所述待彎折區(qū)與所述顯示區(qū)之間以及所述待彎折區(qū)與所述綁定區(qū)之間的兩個過渡區(qū);所述過渡區(qū)包括沿第一方向排列的多個過渡子區(qū),所述第一方向為從所述顯示區(qū)到所述綁定區(qū)的方向;
所述柔性基板包括柔性襯底和設(shè)置在該柔性襯底上的背膜,所述背膜的一部分位于所述過渡區(qū)中;
在任意一個過渡區(qū)中,沿逐漸靠近所述待彎折區(qū)的方向,所述背膜在各個過渡子區(qū)中的單位面積分布量減小;
其中,在任意一個過渡區(qū)中,沿逐漸靠近所述待彎折區(qū)的方向,所述背膜在各過渡子區(qū)中的覆蓋率逐漸減小;
所述背膜的位于所述過渡區(qū)的部分包括多個過渡圖形部,多個所述過渡圖形部沿與所述第一方向垂直的第二方向排列;
從所述過渡圖形部遠(yuǎn)離所述待彎折區(qū)的一側(cè)到靠近所述待彎折區(qū)的一側(cè),所述過渡圖形部在所述第二方向上的尺寸逐漸減小;
其中,所述柔性基板在彎折后,所述過渡區(qū)和所述待彎折區(qū)均形成彎曲結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,在任意一個過渡區(qū)中,沿逐漸靠近所述待彎折區(qū)的方向,所述背膜在各過渡子區(qū)中的厚度逐漸減小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,在任意一個過渡子區(qū)中,沿逐漸靠近所述待彎折區(qū)的方向,所述背膜的厚度保持不變或逐漸減小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的顯示裝置,其特征在于,所述背膜的位于所述過渡區(qū)之外的部分設(shè)置在所述顯示區(qū)和所述綁定區(qū),所述背膜在所述顯示區(qū)和所述綁定區(qū)中的厚度均大于或等于所述背膜在所述過渡區(qū)中的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的顯示裝置,其特征在于,所述背膜與所述柔性襯底之間還設(shè)置有粘結(jié)層,所述粘結(jié)層覆蓋整個所述柔性襯底。
6.一種顯示裝置的制作方法,包括采用柔性基板沿其待彎折區(qū)進(jìn)行彎折后得到顯示基板,其特征在于,所述柔性基板被劃分為:顯示區(qū)、位于該顯示區(qū)一側(cè)的綁定區(qū)、位于所述顯示區(qū)與所述綁定區(qū)之間的待彎折區(qū)、分別位于所述待彎折區(qū)與所述顯示區(qū)之間以及所述待彎折區(qū)與所述綁定區(qū)之間的兩個過渡區(qū);所述過渡區(qū)包括沿第一方向排列的多個過渡子區(qū),所述第一方向為從所述顯示區(qū)到所述綁定區(qū)的方向;所述柔性基板的制作步驟包括:
提供柔性襯底;
在所述柔性襯底上形成背膜;其中,所述背膜的一部分位于所述過渡區(qū)中,并且,在任意一個過渡區(qū)中,沿逐漸靠近所述待彎折區(qū)的方向,所述背膜在各個過渡子區(qū)中的單位面積分布量逐漸減小;其中,在所述柔性襯底上形成背膜的步驟包括:
形成初始背膜;
對所述初始背膜進(jìn)行激光刻蝕,以形成所述背膜;
其中,對所述初始背膜進(jìn)行激光刻蝕包括:對所述初始背膜的位于過渡區(qū)的部分進(jìn)行第二刻蝕過程,以使任意一個過渡區(qū)中,沿逐漸靠近所述待彎折區(qū)的方向,所述背膜在各過渡子區(qū)內(nèi)的覆蓋率逐漸減小;
所述背膜的位于所述過渡區(qū)的部分包括多個過渡圖形部,多個所述過渡圖形部沿與所述第一方向垂直的第二方向排列;
從所述過渡圖形部遠(yuǎn)離所述待彎折區(qū)的一側(cè)到靠近所述待彎折區(qū)的一側(cè),所述過渡圖形部在所述第二方向上的尺寸逐漸減小;
其中,所述柔性基板在彎折后,所述過渡區(qū)和所述待彎折區(qū)均形成彎曲結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法,其特征在于,對所述初始背膜進(jìn)行激光刻蝕包括:
對所述初始背膜的位于過渡區(qū)的部分進(jìn)行第一刻蝕過程,以使任意一個過渡區(qū)中,沿逐漸靠近所述待彎折區(qū)的方向,所述背膜在各過渡子區(qū)中的厚度逐漸減小。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法,其特征在于,在任意一個過渡子區(qū)中,沿逐漸靠近所述待彎折區(qū)的方向,所述背膜的厚度保持不變或逐漸減小。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





