[發明專利]半導體裝置以及控制系統

在審

• 申請號: 201810161044.0
• 申請日: 2018-02-27
• 公開（公告）號: CN109524398A
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 淺原英敏;田中明廣;生野徹
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/78
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 牛玉婷

實施方式的半導體裝置具備第1半導體層、第1開關元件、第2開關元件以及導電體。上述導電體的至少一部分設置在上述第1半導體層上。上述導電體在第1方向上位于上述第1開關元件以及上述第2開關元件之間。

關聯申請的交叉引用

本申請基于日本專利申請2017－179414號(申請日：2017年9月19日)主張優先權。本申請通過參照該基底申請而包含基底申請的全部內容。

技術領域

實施方式一般涉及半導體裝置以及控制系統。

背景技術

半導體裝置中，作為將電流路徑的方向進行切換的元件，有MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor：金屬氧化物半導體場效應晶體管)。將這樣的MOSFET通過使電極共用而在芯片上集成多個，并組裝到保護電路等電路內。如果將多個MOSFET集成化，則可能會導致芯片內的電流路徑變長、電阻值變高。

發明內容

實施方式提供一種電氣特性提高的半導體裝置以及控制系統。

實施方式的半導體裝置具備第1半導體層、第1開關元件、第2開關元件和導電體。所述第1半導體層的導電型為第1導電型。所述第1開關元件具有設置在所述第1半導體層上且分別具有第1控制電極的多個第1元件部、以及設置在所述多個第1元件部上的第1電極。所述第2開關元件具有設置在所述第1半導體層上且分別具有第2控制電極的多個第2元件部、以及設置在所述多個第2元件部上的第2電極。所述第2開關元件與所述第1開關元件在第1方向上排列配置。所述導電體的至少一部分設置在所述第1半導體層上。所述導電體在所述第1方向上位于所述第1開關元件以及所述第2開關元件之間。

附圖說明

圖1是表示實施方式的半導體裝置的俯視圖。

圖2是表示實施方式的半導體裝置的剖視圖。

圖3是表示實施方式的半導體裝置的連接方式的電路圖。

圖4是表示實施方式的半導體裝置的電流路徑的剖視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發明的各實施方式進行說明。

另外，附圖是示意性的或者是概念性的，各部分的厚度與寬度的關系、部分間的大小的比率等并不一定與現實的結構相同。此外，即使在表示相同部分的情況下，根據附圖也有將相互的尺寸或比率不同地表示的情況。

另外，在本申請說明書和各圖中，對于與已出現的圖中說明過的要素相同的要素賦予相同的標號，并適當省略詳細的說明。

(本實施方式)

圖1是表示本實施方式的半導體裝置的俯視圖。

圖2是圖1的A1－A2線的剖視圖。

另外，本說明書中，采用XYZ正交坐標系。將從漏極電極80朝向半導體層10的方向設為Z方向，將相對于Z方向垂直且相互正交的2個方向設為X方向及Y方向。

如圖1及圖2所示，在半導體裝置1設有開關元件1A以及開關元件1B。開關元件1A以及開關元件1B例如是MOSFET。開關元件1A以及開關元件1B以在X方向上相鄰的方式配置。例如，開關元件1A以及開關元件1B集成在一個芯片上。

在圖1所示的例中，半導體裝置1由兩個開關元件1A、1B構成，但也可以由三個以上的開關元件構成。例如，在開關元件1A以及開關元件1B內設有相同的要素。

以下，對開關元件1A、1B內的要素進行說明。