[發明專利]半導體裝置以及控制系統

在審

• 申請號: 201810161044.0
• 申請日: 2018-02-27
• 公開（公告）號: CN109524398A
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 淺原英敏;田中明廣;生野徹
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/78
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 牛玉婷

1.一種半導體裝置，其中，

具備第1導電型的第1半導體層、第1開關元件、第2開關元件以及導電體，

上述第1開關元件具有：

多個第1元件部，設置在上述第1半導體層上，分別具有第1控制電極；以及

第1電極，設置在上述多個第1元件部上；

上述第2開關元件具有：

多個第2元件部，設置在上述第1半導體層上，分別具有第2控制電極；以及

第2電極，設置在上述多個第2元件部上；

上述第2開關元件與上述第1開關元件在第1方向上排列配置；

上述導電體的至少一部分設置在上述第1半導體層上，上述導電體在上述第1方向上位于上述第1開關元件以及上述第2開關元件之間。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述導電體包含金屬材料。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述導電體從由鎢、鎳、鋁、鈦、鉬、銅、金、鉑構成的組中選擇。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述導電體以及上述第1半導體層是包含第1導電型的雜質的硅層；

上述導電體的導電型為第1導電型；

上述導電體的雜質濃度比上述第1半導體層的雜質濃度高。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

還具備第1導電型的第2半導體層，該第2半導體層具有第1面和與上述第1面相反側的第2面，上述第1半導體層位于上述第1面；

上述導電體的底面到達上述第2半導體層；

上述第1半導體層以及第2半導體層位于上述導電體的上述第1方向的側面上。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其中，

上述導電體在第2方向上延伸，該第2方向與上述第2半導體層的上述第1面平行，并且與上述第1方向交叉。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述導電體的底面位于上述第1半導體層上；

上述第1半導體層位于上述導電體的上述第1方向的側面上。

8.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

還具備：

第2導電型的第3半導體層，設置在上述第1半導體層上，包圍上述多個第1元件部的第1控制電極；以及

第2導電型的第4半導體層，設置在上述第1半導體層上，包圍上述多個第2元件部的第2控制電極。

9.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

還具備：

第2半導體層，具有第1面和與上述第1面相反側的第2面，上述第1半導體層位于上述第1面；以及

第3電極，設置在上述第2半導體層的第2面上。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其中，

上述導電體的底面到達上述第3電極；

上述第1半導體層以及第2半導體層位于上述導電體的上述第1方向的側面上。

11.如權利要求9所述的半導體裝置，其中，

上述第1電極以及上述第2電極是源極電極；

上述第3電極是漏極電極。