[發明專利]高電壓半導體裝置

有效

• 申請號: 201810161000.8
• 申請日: 2018-02-26
• 公開（公告）號: CN108987457B
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 金寧培
• 申請（專利權）人: 啟方半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 陳煒

1.一種高電壓半導體裝置，包括：

半導體基底；

第一區，形成在半導體基底中，第一區包括：

N型第一半導體區；

N型漏極區，形成在N型第一半導體區中；

P型第一主體區；

N型源極區，形成在P型第一主體區中；和

柵電極，形成在N型源極區與N型漏極區之間；

第二區，形成在半導體基底中，第二區包括：

N型第二半導體區；

N型第二阱區，形成在N型第二半導體區中；

P型第二主體區，形成在N型第二半導體區中；以及

互連區，設置在第一區與第二區之間，互連區包括：

第一絕緣層，形成在N型第一半導體區與N型第二半導體區之間；

金屬互連部，形成在第一絕緣層上；和

P型結隔離區，形成并設置在第一絕緣層下面，

其中，N型第二阱區與第一絕緣層接觸。

2.如權利要求1所述的高電壓半導體裝置，其中，P型結隔離區具有與半導體基底相同的導電類型和比半導體基底的摻雜濃度高的摻雜濃度。

3.如權利要求2所述的高電壓半導體裝置，其中，P型結隔離區具有比半導體基底的濃度大兩個數量級或兩個數量級以上的濃度。

4.如權利要求1所述的高電壓半導體裝置，還包括：

N型第一掩埋摻雜層，形成在N型第一半導體區與半導體基底之間；以及

N型第二掩埋摻雜層，形成在N型第二半導體區與半導體基底之間。

5.如權利要求1所述的高電壓半導體裝置，其中，金屬互連部將N型漏極區連接到P型第二主體區。

6.如權利要求1所述的高電壓半導體裝置，其中，第二區還包括：

P型第一高摻雜區和P型第二高摻雜區，二者形成在P型第二主體區中；

第二絕緣層，形成在P型第一高摻雜區與P型第二高摻雜區之間；

N型第三高摻雜區，形成在N型第二半導體區中；以及

第三絕緣層，形成在P型第二高摻雜區與N型第三高摻雜區之間。

7.如權利要求1所述的高電壓半導體裝置，其中，N型第二阱區設置在P型結隔離區與P型第二主體區之間。

8.如權利要求6所述的高電壓半導體裝置，其中，金屬互連部將N型漏極區連接到P型第一高摻雜區。

9.如權利要求1所述的高電壓半導體裝置，其中，第一區還包括鄰近于P型第一主體區形成的N型結隔離區。

10.如權利要求9所述的高電壓半導體裝置，其中，第一深溝槽接觸第二深溝槽。

11.如權利要求9所述的高電壓半導體裝置，其中，第一深溝槽和第二深溝槽使用絕緣膜填充。

12.如權利要求9所述的高電壓半導體裝置，還包括：P型阱區，環繞第一深溝槽。