[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810160330.5
• 申請(qǐng)日: 2018-02-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109119471B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彥坂年輝;木村重哉;布上真也;藏口雅彥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/336
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 李今子

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，提供能夠降低導(dǎo)通電阻的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。根據(jù)實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置包括第1～第3電極、第1～第3半導(dǎo)體區(qū)域。第1電極處于第2、第3電極之間。第1半導(dǎo)體區(qū)域包括Al_x1Ga_1－x1N。第1半導(dǎo)體區(qū)域的第1～第3部分區(qū)域遠(yuǎn)離第1～第3電極。第1部分區(qū)域比第2、第3部分區(qū)域厚。第2半導(dǎo)體區(qū)域包括Al_x2Ga_1－x2N(x2＜x1)。第2半導(dǎo)體區(qū)域的第4～第6部分區(qū)域處于第1電極與第1部分區(qū)域之間、第2電極與第2部分區(qū)域之間、第3電極與第3部分區(qū)域之間。第4部分區(qū)域比第5、第6部分區(qū)域薄。第3半導(dǎo)體區(qū)域包括Al_x3Ga_1－x3N(x2＜x3)。第3半導(dǎo)體區(qū)域處于第2電極與第5部分區(qū)域之間以及第3電極與第6部分區(qū)域之間。

本申請(qǐng)以日本專利申請(qǐng)2017-122439(申請(qǐng)日2017年6月22日)作為基礎(chǔ)，基于該申請(qǐng)享受優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過(guò)參照該申請(qǐng)，包括該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

例如，存在使用氮化物半導(dǎo)體的晶體管等半導(dǎo)體裝置。在半導(dǎo)體裝置中，期望導(dǎo)通電阻的降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施方式提供能夠降低導(dǎo)通電阻的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置包括第1～第3電極以及第1～第3半導(dǎo)體區(qū)域。所述第3電極在第1方向上遠(yuǎn)離所述第2電極。所述第1電極的所述第1方向上的位置處于所述第2電極的所述第1方向上的位置與所述第3電極的所述第1方向上的位置之間。所述第1半導(dǎo)體區(qū)域包括Al_x1Ga_1－x1N(0＜x1≤1)。所述第1半導(dǎo)體區(qū)域包括在與所述第1方向交叉的第2方向上遠(yuǎn)離所述第1電極的第1部分區(qū)域、在所述第2方向上遠(yuǎn)離所述第2電極的第2部分區(qū)域以及在所述第2方向上遠(yuǎn)離所述第3電極的第3部分區(qū)域。所述第1部分區(qū)域的沿著所述第2方向的第1厚度比所述第2部分區(qū)域的沿著所述第2方向的第2厚度厚、并且比所述第3部分區(qū)域的沿著所述第2方向的第3厚度厚。所述第2半導(dǎo)體區(qū)域包括Al_x2Ga_1－x2N(0≤x2＜1、x2＜x1)。所述第2半導(dǎo)體區(qū)域包括在所述第2方向上位于所述第1電極與所述第1部分區(qū)域之間的第4部分區(qū)域、在所述第2方向上位于所述第2電極與所述第2部分區(qū)域之間的第5部分區(qū)域以及在所述第2方向上位于所述第3電極與所述第3部分區(qū)域之間的第6部分區(qū)域。所述第4部分區(qū)域的沿著所述第2方向的第4厚度比所述第5部分區(qū)域的沿著所述第2方向的第5厚度薄、并且比所述第6部分區(qū)域的沿著所述第2方向的第6厚度薄。所述第3半導(dǎo)體區(qū)域包括Al_x3Ga_1－x3N(0＜x3≤1、x2＜x3)。所述第3半導(dǎo)體區(qū)域包括在所述第2方向上位于所述第2電極與所述第5部分區(qū)域之間的第7部分區(qū)域以及在所述第2方向上位于所述第3電極與所述第6部分區(qū)域之間的第8部分區(qū)域。

根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施方式，提供一種半導(dǎo)體裝置，具備：

第1電極；

第2電極；

第3電極，所述第3電極在第1方向上遠(yuǎn)離所述第2電極，所述第1電極的所述第1方向上的位置處于所述第2電極的所述第1方向上的位置與所述第3電極的所述第1方向上的位置之間；

第1半導(dǎo)體區(qū)域，包括Al_x1Ga_1－x1N(0＜x1≤1)，并且包括在與所述第1方向交叉的第2方向上遠(yuǎn)離所述第1電極的第1部分區(qū)域、在所述第2方向上遠(yuǎn)離所述第2電極的第2部分區(qū)域以及在所述第2方向上遠(yuǎn)離所述第3電極的第3部分區(qū)域；