[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201810160330.5
• 申請日: 2018-02-27
• 公開（公告）號: CN109119471B
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 彥坂年輝;木村重哉;布上真也;藏口雅彥
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/336
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 李今子

1.一種半導體裝置，具備：

第1電極；

第2電極；

第3電極，所述第3電極在第1方向上遠離所述第2電極，所述第1電極的所述第1方向上的位置處于所述第2電極的所述第1方向上的位置與所述第3電極的所述第1方向上的位置之間；

第1半導體區域，包括Al_x1Ga_1－x1N，其中所述x1大于0且小于1，所述第1半導體區域包括在與所述第1方向交叉的第2方向上遠離所述第1電極的第1部分區域、在所述第2方向上遠離所述第2電極的第2部分區域以及在所述第2方向上遠離所述第3電極的第3部分區域，所述第1部分區域的沿著所述第2方向的第1厚度比所述第2部分區域的沿著所述第2方向的第2厚度厚、并且比所述第3部分區域的沿著所述第2方向的第3厚度厚；

第2半導體區域，包括Al_x2Ga_1－x2N，其中所述x2為0以上且小于1，所述x2小于所述x1，所述第2半導體區域包括在所述第2方向上位于所述第1電極與所述第1部分區域之間的第4部分區域、在所述第2方向上位于所述第2電極與所述第2部分區域之間的第5部分區域以及在所述第2方向上位于所述第3電極與所述第3部分區域之間的第6部分區域，所述第4部分區域的沿著所述第2方向的第4厚度比所述第5部分區域的沿著所述第2方向的第5厚度薄、并且比所述第6部分區域的沿著所述第2方向的第6厚度薄；

第3半導體區域，包括Al_x3Ga_1－x3N，其中所述x3大于0且為1以下，所述x2小于所述x3，所述第3半導體區域包括在所述第2方向上位于所述第2電極與所述第5部分區域之間的第7部分區域以及在所述第2方向上位于所述第3電極與所述第6部分區域之間的第8部分區域；

基板；以及

第6半導體區域，包括包含Al的氮化物半導體，

在所述第2方向上，所述第6半導體區域位于所述基板與所述第1半導體區域之間。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第1部分區域的一部分在所述第1方向上位于所述第5部分區域與所述第6部分區域之間。

3.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其中，

還具備第4半導體區域，該第4半導體區域在所述第2方向上設置于所述第1電極與所述第4部分區域之間，并且包括Al_x4Ga_1－x4N，所述x4大于0且為1以下，所述x2小于所述x4。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，

所述x4小于所述x3。

5.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其中，

還具備包括Al_x5Ga_1－x5N的第5半導體區域，

所述x5大于0且為1以下，所述x2小于所述x5，

所述第5半導體區域包括：

第9部分區域，在所述第2方向上設置于所述第5部分區域與所述第7部分區域之間；以及

第10部分區域，在所述第2方向上設置于所述第6部分區域與所述第8部分區域之間。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，

所述x5小于所述x3。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，

所述第9部分區域的沿著所述第2方向的第9厚度比所述第7部分區域的沿著所述第2方向的第7厚度薄，

所述第10部分區域的沿著所述第2方向的第10厚度比所述第8部分區域的沿著所述第2方向的第8厚度薄。

8.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

所述x3為0.15以上且0.5以下，

所述第7部分區域的沿著所述第2方向的第7厚度為5nm以上且50nm以下。