本發明涉及一種用于制造半導體裝置的方法。所述方法包含：提供包含第一金屬接點的第一電子組件和包含第二金屬接點的第二電子組件，改變所述第一金屬接點的晶格，以及在預定壓力和預定溫度下將所述第一金屬接點接合到所述第二金屬接點。
技術領域
本發明涉及半導體裝置和其制造方法，且更確切地說，涉及包含固體接合結構的半導體裝置，和用于將金屬接合到金屬、金屬接合到陶瓷或用于接合其它固體材料的固體接合方法。
背景技術
熱壓縮接合技術允許在不使用錫(Sn)焊料的情況下將金屬直接接合到另一金屬。然而，此技術通常是在高工作溫度(例如，大于400攝氏度(℃))和高壓力(例如，大于10兆帕斯卡(MPa))下進行，這會增加制造成本并損害待接合的電路。因此，期望研發可在相對低的溫度和壓力下進行的熱壓縮接合技術。
發明內容
在一些實施例中，一種用于制造半導體裝置的方法包含：提供包含第一金屬接點的第一電子組件和包含第二金屬接點的第二電子組件，改變所述第一金屬接點的晶格，以及在預定壓力和預定溫度下將所述第一金屬接點接合到所述第二金屬接點。
在一些實施例中，一種用于制造半導體裝置的方法包含：提供包含第一金屬接點的第一電子組件和包含第二金屬接點的第二電子組件，所述第一金屬接點具有第一表面且所述第二金屬接點具有第二表面；通過使所述第一金屬接點的所述第一表面處的晶格發生變形而粗糙化所述第一金屬接點的所述第一表面；以及將所述第一金屬接點的所述第一表面接合到所述第二金屬接點的所述第二表面。
附圖說明
圖1說明根據本發明的一些實施例的制造半導體裝置的方法；
圖2A、圖2B和圖2C說明根據本發明的一些實施例的晶格的示意圖；以及
圖3說明根據本發明的一些實施例的半導體裝置。
貫穿圖式和具體實施方式使用共同參考編號來指示相同或類似組件。根據以下結合附圖進行的詳細描述可最好地理解本發明。
具體實施方式
圖1說明用于在不使用接合劑(例如焊料或銦)的情況下直接將一個電子組件(例如，第一電子組件)接合到另一電子組件(例如，第二電子組件)的方法。
參考操作S11，提供包含第一金屬接點的第一電子組件和包含第二金屬接點的第二電子組件。在一些實施例中，第一電子組件為集成電路(IC)芯片、晶片(例如，晶片上的裸片)、插入件、襯底、電阻器、電容器、電感器或其組合。在一些實施例中，第二電子組件相同于第一電子組件。替代地，第二電子組件與第一電子組件不同。在一些實施例中，第一金屬接點和第二金屬接點由金屬形成或包含金屬，所述金屬例如但不限于銅、鋁、銀、金或用于接合的任何其它合適的金屬。
參考操作S12，在第一電子組件的第一金屬接點上照射電磁輻射以加熱第一金屬接點。在一些實施例中，電磁輻射為紅外線(IR)或紫外線(UV)。在一些實施例中，電磁輻射的波長介于約200納米(nm)到約3000nm的范圍內，例如從約700nm到約1100nm或例如從約200nm到約400nm。在一些實施例中，由電磁輻射照射第一金屬接點達預定時間，例如約15秒或更少、約10秒或約5秒或更少，或從約5秒到約10秒。在一些實施例中，電磁輻射的總功率為約1000瓦特(W)。在一些實施例中，電磁輻射照射在第一金屬接點的一部分上或整個第一金屬接點上。
